[发明专利]一种三维存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底表面，且相互独立的多个叠层结构，所述叠层结构包括交替重复层叠设置的绝缘层和栅极叠层；且所述叠层结构形成字线台阶；

覆盖所述叠层结构和所述衬底上所述叠层结构之外区域的铁电层；

覆盖所述铁电层的第一绝缘介质层；

覆盖所述第一绝缘介质层的沟道层；

覆盖所述沟道层的第二绝缘介质层；

穿过所述第二绝缘介质层，与每个字线台阶电性连接，且与所述沟道层电性连接的多条引线。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述铁电层的材料包括：HfZrO、或者掺杂有Si或Al的HfO₂。

3.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述绝缘层、所述第一绝缘介质层和所述第二绝缘介质层的材质均为氧化硅或高K介质材料；所述高K介质材料包括Si₃N₄和Al₂O₃。

4.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述沟道层的材质包括多晶硅、锗硅或MoS₂。

5.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述引线的材质为多晶硅、钨、铝或铜。

6.一种三维存储器制作方法，其特征在于，用于制作形成权利要求1-5任意一项所述的三维存储器，所述三维存储器制作方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上沉积叠层结构，所述叠层结构包括交替层叠设置的多层第一子叠层和第二子叠层；

刻蚀所述叠层结构，形成多个台阶；

在所述衬底上沉积并平坦化第一氧化硅层，所述第一氧化硅层覆盖所述多个台阶，且与所述叠层结构背离衬底的表面齐平；

刻蚀形成多个结构相同且独立的叠层结构；

依次沉积铁电层、第一绝缘介质层和沟道层；

刻蚀所述铁电层、所述第一绝缘介质层和所述沟道层，形成多个独立的沟道层；

沉积并平坦化第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层覆盖所有表面；

刻蚀形成接触孔，所述接触孔的底部位于每个台阶的表面和沟道层的表面；

填充所述接触孔，形成引线。

7.根据权利要求6所述的三维存储器制作方法，其特征在于，所述第一子叠层的材质为氧化硅；所述第二子叠层的材质为多晶硅。

8.根据权利要求6所述的三维存储器制作方法，其特征在于，其中，平坦化第一氧化硅层和平坦化第二绝缘介质层均采用化学机械研磨工艺进行磨平。