[发明专利]一种碳化硅基晶圆的加工方法

权利要求书

1.一种碳化硅基晶圆的加工方法，所述碳化硅基晶圆设有背面金属层，其特征在于所述加工方法包括以下步骤：

1）晶圆正面设有切割道，对晶圆正面贴附第一保护膜，使晶圆正面朝下吸附于一透明平台上，所述透明平台下方设有CCD，采用第一激光从所述晶圆背面入射所述背面金属层并通过所述CCD对位切割道的方式沿所述切割道行进，以切断与所述切割道对应的位置的背面金属，切割完成后去除所述第一保护膜；所述第一激光的波长为320nm~400nm；所述背面金属层的厚度为1~5 µm，所述第一激光的功率为1～5W；

2）采用第二激光从所述晶圆正面入射所述晶圆内部并沿所述切割道行进，以于所述晶圆内部形成改质层；所述第二激光的波长为780nm~1100nm；

3）采用劈刀从所述晶圆背面根据所述切割道劈裂所述晶圆，劈刀下压深度为所述晶圆厚度的1/8~1/2，将所述晶圆分成若干单颗芯粒；

4）对所述晶圆进行扩片处理，使所述芯粒相互分离。

2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于：所述第一激光的扫描速度为100mm/s~2000mm/s。

3.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于：步骤2）中，还包括翻转所述晶圆，对所述晶圆背面贴附第二保护膜，使所述晶圆背面朝下吸附于所述透明平台上，然后采用所述第二激光从所述晶圆正面入射所述晶圆内部并沿所述切割道行进。

4.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于：步骤1）中，还包括切割前于所述背面金属层表面涂覆防溅保护液并于切割后清除所述防溅保护液的步骤。

5.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于：步骤2）中，还包括改变所述第二激光的入射深度，使所述第二激光于所述晶圆内部的多个平面内沿所述切割道行进，形成多个所述改质层的步骤。