[发明专利]吹扫管、单晶提拉装置及硅单晶的制造方法

权利要求书

1.一种单晶提拉装置，其特征在于，

具备：

坩埚，收容硅熔液；

提拉部，通过在使晶种与前述硅熔液接触后进行提拉，培养硅单晶；

圆筒状或圆锥台筒状的热遮蔽体，在前述坩埚的上方以将前述硅单晶包围的方式设置；

吹扫管；

腔室，收容前述坩埚、前述热遮蔽体及前述吹扫管；

气体导入部，从前述腔室的外部向该腔室的内部导入非活性气体；以及

光学观察机构，设置在前述腔室的外部，经由前述吹扫管的透过部观察前述硅单晶的培养状况，

前述吹扫管为，

具备：

圆筒部，形成为圆筒状，将从前述腔室的外部导入的非活性气体向硅熔液侧导引；以及

凸缘部，从前述圆筒部的外周面朝向外侧以凸缘状突出，由前述热遮蔽体支承，；

前述凸缘部的外径比设置在前述腔室内前述热遮蔽体的下端的内径大，

在前述凸缘部的至少一部分，设置有能够由前述光学观察机构进行前述硅单晶的培养状况的观察的透过部。

2.如权利要求1所述的单晶提拉装置，其特征在于，

前述透过部形成为，使前述光学观察机构的光轴相对于该透过部的上表面的入射角成为45°以下。

3.如权利要求2所述的单晶提拉装置，其特征在于，

前述透过部形成为，使前述入射角成为0°。

4.如权利要求1所述的单晶提拉装置，其特征在于，

前述透过部由厚度均匀的平板状的石英形成。

5.如权利要求1所述的单晶提拉装置，其特征在于，

前述凸缘部形成为在与前述圆筒部的中心轴正交的方向上延伸的圆环板状。

6.如权利要求5所述的单晶提拉装置，其特征在于，

前述凸缘部其厚度形成得均匀。

7.如权利要求1所述的单晶提拉装置，其特征在于，

前述圆筒部由石墨形成。

8.如权利要求1所述的单晶提拉装置，其特征在于，

在前述热遮蔽体的内周面，设置有将前述吹扫管从下方支承的吹扫管支承部。

9.一种硅单晶的制造方法，使用权利要求1所述的单晶提拉装置，其特征在于，

基于前述光学观察机构的观察结果，对前述硅单晶的培养条件进行控制。