[发明专利]浅沟槽隔离结构、半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基底；

于所述基底内形成浅沟槽，所述浅沟槽包括由上至下依次连通的第一级至第N级沟槽，第i级沟槽的宽度小于第i-1级沟槽的宽度；其中，N为大于等于2的整数，i为大于等于2且小于等于N的整数；

于所述浅沟槽内填充隔离材料，以形成所述浅沟槽隔离结构，所述隔离材料填满所述浅沟槽。

2.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于：于所述基底内形成浅沟槽包括如下步骤：

于所述基底内形成第一级沟槽；

于所述第一级沟槽的侧壁形成侧壁保护层；

对所述第一级沟槽的底部进行刻蚀，以于所述第一级沟槽下方的所述基底内形成第二级沟槽；

去除所述侧壁保护层。

3.根据权利要求2所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于：形成所述第二级沟槽之后还包括如下步骤：

于已形成的沟槽的侧壁形成又一侧壁保护层；

对上一级沟槽的底部进行刻蚀，以于上一级沟槽下方的所述基底内形成下一级沟槽；

去除所述又一侧壁保护层。

4.根据权利要求3所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于：去除所述又一侧壁保护层之后还包括如下步骤：重复去除所述侧壁保护层之后的所有步骤至少一次。

5.根据权利要求2所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于：于所述基底内形成所述第一级沟槽之前还包括如下步骤：

于所述基底的上表面形成氧化物层；

于所述氧化物层的上表面形成氮化物层；

对所述氮化物层及所述氧化物层进行图形化处理，图形化处理后的所述氮化物层及所述氧化物层定义出所述第一级沟槽的位置及形状。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于：形成各级所述沟槽之后，相邻两级所述沟槽的结合处为尖角状；形成各级所述沟槽之后还包括对相邻两级所述沟槽的结合处进行圆角化处理的步骤，以使得相邻两级所述沟槽的结合处由尖角状转化为圆角状。

7.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，包括：

浅沟槽，位于基底内；所述浅沟槽由上至下依次连通的第一级至第N级沟槽，第i级沟槽的宽度小于第i-1级沟槽的宽度；其中，N为大于等于2的整数，i为大于等于2且小于等于N的整数；

填充隔离材料，填充于所述浅沟槽内，且填满所述浅沟槽。

8.根据权利要求7所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述第一级沟槽的底部距离所述基底的上表面的距离为30nm～70nm；所述第二级沟槽的底部距离所述基底的上表面的距离为220nm～320nm。

9.根据权利要求7所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述基底的上表面还形成有图形化后的氧化物层及图形化后的氮化物层，其中，所述图形化后的氧化物层位于所述基底的上表面，所述图形化后的氮化物层位于所述图形化后的氧化物层的上表面。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：相邻两级所述沟槽的结合处为圆角状。

11.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

采用如权利要求1至6中任一项所述的浅沟槽隔离结构的制备方法于所述基底内形成所述浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构于所述基底内隔离出若干个间隔排布的有源区；

于所述基底内形成若干个平行间隔排布的埋入式栅极字线，所述埋入式栅极字线的延伸方向与所述有源区的延伸方向相交在小于90度的角度。

12.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底；

如权利要求7至10中任一项所述的浅沟槽隔离结构，位于所述基底内；所述浅沟槽隔离结构于所述基底内隔离出若干个间隔排布的有源区；

若干个平行间隔排布的埋入式栅极字线，位于所述基底内；所述埋入式栅极字线的延伸方向与所述有源区的延伸方向相交在小于90度的角度。