[发明专利]TFT基板的断线修复方法

权利要求书

1.一种TFT基板的断线修复方法，所述TFT基板包括由下至上依次设置的衬底基板、第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层和透明电极层，所述第一金属层中形成有栅线，所述第二金属层中形成有数据线，所述透明电极层中形成有像素电极，所述栅线和数据线交叉形成像素区域，所述像素电极设置在所述像素区域中，其特征在于，所述方法包括：

步骤S11，提供所述TFT基板；

步骤S12，找出所述TFT基板中的断线及所述断线上断点的位置；

步骤S13，去除所述断点两侧表面上的膜层，以暴露所述断线所在的金属层；

步骤S131，在所述断点处形成一支撑块，所述支撑块的两侧分别与所述膜层之间形成开孔，所述开孔暴露所述断线所在的金属层位于所述断点两侧的部分；

步骤S14，在所述断点暴露的金属层上形成修复线，以使所述断点两侧的所述断线电连通；所述修复线为直线状，所述修复线设置在所述支撑块上，所述修复线于所述断线所在金属层的正投影的延伸方向和所述断线的延伸方向一致；

步骤S15，切割所述修复线周侧的所述透明电极层，形成隔离区域，防止所述修复线与所述像素电极发生短路。

2.根据权利要求1所述的TFT基板的断线修复方法，其特征在于，所述步骤S12包括：

采用阵列测试站点进行检测，找出所述TFT基板中的断线及所述断线上断点的位置坐标，并记录所述位置坐标。

3.根据权利要求2所述的TFT基板的断线修复方法，其特征在于，所述步骤S13包括：

修补机台根据所述位置坐标，找到相应的断点；后通过激光去除所述断点两侧表面上的膜层，以暴露所述断线所在的金属层。

4.根据权利要求3所述的TFT基板的断线修复方法，其特征在于，所述步骤S14包括：

根据所述断点的位置坐标，设定直线状的修复路径，并根据所述修复路径在所述断点暴露的金属层上形成修复线，以使所述断点两侧的所述断线电连通。

5.根据权利要求4所述的TFT基板的断线修复方法，其特征在于，采用激光将气态金属碳化物沉积于暴露金属层上，形成所述修复线。

6.根据权利要求5所述的TFT基板的断线修复方法，其特征在于，所述气态金属碳化物为六碳化钨。

7.根据权利要求4所述的TFT基板的断线修复方法，其特征在于，所述步骤S15包括：

根据所述修复路径设定形成隔离区域的切割路径，并根据所述切割路径在所述透明电极层中对应于所述修复线周侧的区域进行激光切割，以形成所述隔离区域，防止所述修复线与所述像素电极发生短路。

8.根据权利要求1或7所述的TFT基板的断线修复方法，其特征在于，所述隔离区域的切割线到所述修复线的距离小于等于30微米。

9.根据权利要求1所述的TFT基板的断线修复方法，其特征在于，所述断线为所述栅线或/和所述数据线。

10.根据权利要求1所述的TFT基板的断线修复方法，其特征在于，当所述断线为栅线时，所述修复线位于所述第一金属层或所述透明电极层；当所述断线为数据线时，所述修复线位于所述第二金属层或所述透明电极层。