[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上形成有第一核心层、以及位于所述第一核心层上的第一掩膜层，所述第一掩膜层中形成有露出所述第一核心层的开口；

形成覆盖所述第一掩膜层的第二核心层，所述第二核心层还填充满所述开口；

形成贯穿所述第二核心层、第一掩膜层和第一核心层的第一沟槽，所述第一沟槽的侧壁暴露出所述开口中的第二核心层；

在所述第一沟槽的侧壁形成侧墙层；

以所述侧墙层为掩膜，刻蚀去除所述第二核心层、以及所述开口位置下方的所述第一核心层，形成贯穿所述第一核心层的第二沟槽，所述第二沟槽和第一沟槽之间被所述侧墙层隔离。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底和第一核心层之间还形成有第二掩膜层、以及位于所述第二掩膜层上的第三掩膜层，所述第二掩膜层的耐刻蚀度大于所述第三掩膜层的耐刻蚀度；

形成所述第二沟槽后，所述半导体结构的形成方法还包括：

以所述侧墙层和所述第一核心层为掩膜，刻蚀所述第一沟槽和第二沟槽底部的第三掩膜层，在所述第三掩膜层中形成第一掩膜开口；

形成所述第一掩膜开口后，去除所述侧墙层和所述第一核心层；

去除所述侧墙层和所述第一核心层后，以所述第三掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一掩膜开口底部的第二掩膜层，在所述第二掩膜层中形成第二掩膜开口。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一掩膜层中形成露出所述第一核心层的开口的步骤包括：在所述第一掩膜层上形成第一图形层，所述第一图形层中形成有第一凹槽；

以所述第一图形层为掩膜，沿所述第一凹槽刻蚀所述第一掩膜层；

去除所述第一图形层。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述开口的延伸方向为第一方向，与所述第一方向相垂直的方向为第二方向；

形成所述第一沟槽的步骤包括：在所述第二核心层上形成第二图形层，所述第二图形层内形成有第二凹槽，所述第二凹槽沿所述第一方向延伸，且在所述第二方向上，所述第二凹槽与所述开口在所述基底上的投影相邻接或部分重叠；

以所述第二图形层为掩膜，沿所述第二凹槽依次刻蚀所述第二核心层、第一掩膜层和第一核心层；

去除所述第二图形层。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一核心层的材料为无定形硅或或无定型碳，所述第二核心层的材料为无定形硅或或无定型碳，所述第一掩膜层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或碳氮氧化硅。

6.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层和第三掩膜层的材料相同。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一掩膜层的步骤中，所述第一掩膜层的厚度为至

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述第一掩膜层，形成所述开口。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺依次刻蚀所述第二核心层、第一掩膜层和第一核心层，形成所述第一沟槽。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺，刻蚀去除所述第二核心层、以及所述开口位置下方的所述第一核心层。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺，形成所述第二核心层。

12.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上的介质层；

所述形成方法还包括：刻蚀所述第一沟槽和第二沟槽底部的所述介质层，在所述介质层中形成互连开口；填充所述互连开口，形成互连结构。