[发明专利]封装件及其形成方法

说明书

形成封装件的方法包括在载体上形成再分布结构，将集成无源器件附接至再分布结构的第一侧上，将互连结构附接至再分布结构的第一侧，集成无源器件介于再分布结构和互连结构之间，在互连结构和再分布结构之间沉积底部填充材料，以及将半导体器件附接至与再分布结构的第一侧相对的再分布结构的第二侧。本发明的实施例还涉及封装件。

技术领域

本发明的实施例涉及封装件及其形成方法。

背景技术

半导体工业通过不断减小最小部件尺寸来不断提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这使得更多的组件，因此更多的功能可以集成至给定的区域中。具有高功能的集成电路需要许多输入/输出焊盘。然而，对于小型化非常重要的应用，可能需要小的封装件。

集成扇出(InFO)封装技术正变得越来越流行，尤其是与晶圆级封装(WLP)技术接合使用时，其中将集成电路封装在通常包含再分布层(RDL)或后钝化互连的封装件中，该后钝化互连通常用于封装件的接触焊盘的扇出布线，使得可以以比集成电路的接触焊盘更大的间距制成电接触件。这样得到的封装结构提供了具有相对低成本和高性能封装件的高功能密度。

发明内容

本发明的一些实施例提供了一种形成封装件的方法，包括：在载体上形成再分布结构；将集成无源器件附接至所述再分布结构的第一侧上；将互连结构附接至所述再分布结构的第一侧，所述集成无源器件介于所述再分布结构和所述互连结构之间；在所述互连结构和所述再分布结构之间沉积底部填充材料；将半导体器件附接至与所述再分布结构的第一侧相对的所述再分布结构的第二侧上。

本发明的另一实施例提供了一种形成封装件的方法，包括：在载体衬底上形成第一接触焊盘；在所述第一接触焊盘上形成再分布结构；在所述再分布结构上形成第二接触焊盘；将集成无源器件电连接至所述第二接触焊盘的第一组；使用导电连接件将互连结构电连接至所述第二接触焊盘的第二组；以及将半导体管芯电连接至所述第一接触焊盘。

本发明的又一实施例涉及一种封装件，包括：互连结构；再分布结构，电连接至所述互连结构；至少一个集成器件，位于所述再分布结构和所述互连结构之间的间隙中，所述至少一个集成器件电连接至所述互连结构；底部填充材料，位于所述再分布结构和所述互连结构之间的间隙中，所述底部填充材料从所述再分布结构延伸至所述互连结构并且至少横向地围绕所述至少一个集成器件；以及至少一个半导体器件，位于所述再分布结构的与所述集成器件相对的侧上，所述至少一个半导体器件电连接至所述再分布结构。

附图说明

当接合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1至图4示出了根据一些实施例的形成器件结构的中间步骤的截面图。

图5A至图5C示出了根据一些实施例的形成互连结构的中间步骤的截面图。

图6至图11示出了根据一些实施例的形成封装件的中间步骤的截面图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。