[发明专利]多栅电极结构和具有其的异质结太阳能电池及其制备方法

说明书

本发明公开了一种异质结太阳能双面电池上的多栅电极结构，多栅电极包括多条主栅和多条副栅，主栅与副栅垂直分布；主栅上设置4‑20个焊盘，主栅的线数为5‑24，主栅的宽度为0.03‑1.1mm；具有上述多栅电极结构的异质结太阳能电池板，包括：多栅电极结构，还包括以下结构：基底，基底为晶体硅片；在晶体硅片正面及背面生长的本征非晶硅薄膜；在本征非晶硅薄膜上生长的掺杂非晶硅薄膜；在掺杂非晶硅薄膜上生长的透明导电层薄膜；及在透明导电薄膜上设置的多栅电极。本发明通过增加主栅的数量并将主栅的宽度变窄，对于后期制备的异质结太阳能双面电池，实现焊带与主栅线间的充分接触，在不改变浆料本身特性的前提下实现高标准的拉力。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，更具体的说是涉及一种多栅电极结构和具有其的异质结太阳能电池及其制备方法。

背景技术

随着太阳能电池技术的发展，高效电池的开发越来越受重视。在c—si上生长一层氢化非晶硅或氢化微晶硅薄膜形成的异质结太阳电池，这种电池p-n 结制备采用了薄膜沉积的低温工艺(<200℃)，不仅减少了能耗，又避免了硅片在高温过程中性能的退化，同时又发挥了晶体硅材料的高性能的优势，因此，硅异质结太阳电池兼具高效率、稳定和低成本的优点，展示出更为广阔的应用前景。

对于HJT电池而言，多主栅能降低电池片的串联电阻，更好的收集电池表面产生的光生载流子，提高电池转换效率，减少电池断栅等印刷品质异常造成的组件风险，减少光生电流传输至主栅线的路径，提升组件功率。但由于受浆料的成分及低温固化工艺的影响,随着主栅变窄，相比于传统晶硅太阳能电池焊接拉力异质结太阳电池更难以实现高的性能指标。由于拉力性能的优劣取决于两个基体组成部分和一种连接方式,也就是焊材,主栅和焊接工艺。

因此，如何设计多主栅的结构提升焊接效果是本领域技术人员亟需解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种多栅电极结构，及具有其多栅电极结构的异质结太阳能双面电池及制备方法。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：一种异质结太阳能双面电池上的多栅电极结构，所述多栅电极包括多条主栅和多条副栅，所述主栅与副栅垂直分布；所述主栅上设置4-20个焊盘，所述主栅的线数为5-24，所述主栅的宽度为0.03-1.1mm。

本发明的有益效果：本发明中通过增加主栅的数量并将主栅的宽度变窄，对于后期制备的异质结太阳能双面电池，实现焊带与主栅线间的充分接触，在不改变浆料本身特性的前提下实现高标准的拉力。

优选地，所述副栅的线数为60-200，所述副栅的宽度为20-60μm。

优选地，所述焊盘之间为镂空或设置主栅。

本发明还提供了一种异质结太阳能电池板，其特征在于，包括：所述的多栅电极结构，还包括以下结构：基底，所述基底为晶体硅片；在所述晶体硅片正面及背面生长的本征非晶硅薄膜；在所述本征非晶硅薄膜上生长的掺杂非晶硅薄膜；在所述掺杂非晶硅薄膜上生长的透明导电层薄膜；及在所述透明导电薄膜上设置的多栅电极。

优选地，所述透明导电薄膜的厚度为80-110nm，方阻为30-70Ω；所述透明导电薄膜为ITO薄膜、AZO薄膜或ITiO薄膜。

优选地，所述本征非晶硅薄膜的厚度为5-10nm。

优选地，所述掺杂非晶硅薄膜的厚度为5-20nm。

优选地，所述晶体硅片为N型单晶硅片，且厚度为130-190μm。

本发明中还提供了一种异质结太阳能电池板的制备方法，包括以下步骤：

步骤(1)：将基底经过制绒、清洗；

步骤(2)：利用离子体化学气相沉积在步骤(1)中所述基底的正面及背面生长本征非晶硅薄膜；