[发明专利]一种IGBT器件有效
| 申请号： | 201911204531.1 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN112885900B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 龚轶;刘伟;刘磊;毛振东;王鑫 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 器件 | ||
1.一种IGBT器件，其特征在于，包括：
n型集电极区和p型集电极区，位于所述n型集电极区和所述p型集电极区之上的n型漂移区，以及由多个MOSFET单元组成的MOSFET单元阵列，所述MOSFET单元包括：
位于所述n型漂移区顶部的p型体区，位于所述p型体区内的n型发射极区，位于所述p型体区之上的栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层、栅极和n型浮栅，所述栅极和所述n型浮栅位于所述栅介质层之上，且所述栅极位于靠近所述n型发射极区的一侧，所述n型浮栅位于靠近所述n型漂移区的一侧，所述栅极通过电容耦合作用于所述n型浮栅；
在所述MOSFET单元阵列中，至少有一个所述MOSFET单元的所述n型浮栅通过所述栅介质层与所述p型体区隔离，且至少有一个所述MOSFET单元的所述n型浮栅通过一个位于该n型浮栅下方的栅介质层中的开口与所述p型体区接触形成p-n结二极管。
2.如权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，还包括位于所述n型集电极区、所述p型集电极区之上的n型场截止区，所述n型场截止区位于所述n型漂移区下方。
3.如权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述栅极延伸至所述n型浮栅之上。
4.如权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述栅极延伸至所述n型浮栅之上且覆盖所述n型浮栅靠近所述n型漂移区一侧的侧壁。
5.如权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述开口位于所述n型浮栅下方且靠近所述n型漂移区的一侧。
6.如权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，至少有一个所述MOSFET单元的栅极与所述n型发射极区电性连接。
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