[发明专利]一种半导体结构及其制程方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制程方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、提供前体，所述前体包括硅基板(100)、栅极堆叠件(200)和栅极间隔件(910)；硅基板(100)上形成有多个磊晶(110)，并在邻近两个磊晶(110)之间形成有沟道(120)；栅极堆叠件(200)位于硅基板(100)上的沟道(120)内；栅极间隔件(910)位于硅基板(100)和磊晶(110)上并环绕栅极堆叠件(200)；

步骤S2、在栅极堆叠件(200)和栅极间隔件(910)上方形成第一介电层(300)；依次蚀刻第一介电层(300)和栅极间隔件(910)，形成连接至磊晶(110)的第一蚀刻孔(520)；蚀刻第一介电层(300)，形成连接至栅极堆叠件(200)的第二蚀刻孔(620)；

步骤S3、在第一介电层(300)的上方形成第二介电层(400)；蚀刻第二介电层(400)，形成与第一蚀刻孔(520)连通的第三蚀刻孔(510)，并形成与第二蚀刻孔(620)连通的第四蚀刻孔(610)；第一蚀刻孔(520)和第三蚀刻孔(510)构成第一连通孔；第二蚀刻孔(620)和第四蚀刻孔(610)构成第二连通孔；

步骤S4、通过化学沉积在第二介电层(400)的上方形成金属层(700)，并使金属层(700)填充第一连通孔和第二连通孔，以分别与磊晶(110)和栅极堆叠件(200)连接。

2.根据权利要求1所述的制程方法，其特征在于，第三蚀刻孔(510)和第四蚀刻孔(610)的倾斜角均大于75°，采用单大马士革工艺形成。

3.根据权利要求1所述的制程方法，其特征在于，步骤S2还包括：

在栅极堆叠件(200)和栅极间隔件(910)上方形成金属闸极保护层(900)，然后在金属闸极保护层(900)上方形成第一介电层(300)；

依次蚀刻第一介电层(300)、金属闸极保护层(900)和栅极间隔件(910)，形成连接至磊晶(110)的第一蚀刻孔(520)；依次蚀刻第一介电层(300)、金属闸极保护层(900)，形成连接至栅极堆叠件(200)的第二蚀刻孔(620)。

4.根据权利要求3所述的制程方法，其特征在于，步骤S3还包括：

在第一介电层(300)上方形成ILD保护层(800)，然后在ILD保护层(800)上方形成第二介电层(400)；

依次蚀刻第二介电层(400)、ILD保护层(800)，形成与第一蚀刻孔(520)连通的第三蚀刻孔(510)，并形成与第二蚀刻孔(620)连通的第四蚀刻孔(610)。

5.根据权利要求1所述的制程方法，其特征在于，金属层(700)采用铝层、钨层、钴层或铜层。

6.一种半导体结构，其特征在于，包括：

硅基板(100)，形成有多个磊晶(110)，并在邻近两个磊晶(110)之间形成有沟道(120)；

栅极堆叠件(200)，位于硅基板(100)上的沟道(120)内；

栅极间隔件(910)，位于硅基板(100)和磊晶(110)上并环绕栅极堆叠件(200)；

第一介电层(300)，位于栅极堆叠件(200)和栅极间隔件(910)上方；

第二介电层(400)，位于第一介电层(300)的上方；

第一连通孔，贯穿第二介电层(400)、第一介电层(300)、栅极间隔件(910)并连接至磊晶(110)；

第二连通孔，贯穿第二介电层(400)、第一介电层(300)并连接至栅极堆叠件(200)；

金属层(700)，通过化学沉积在第二介电层(400)的上方并填充第一连通孔和第二连通孔，以分别与磊晶(110)和栅极堆叠件(200)连接。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，半导体结构还包括：

ILD保护层(800)，位于第一介电层(300)和第二介电层(400)之间；

第一连通孔和第二连通孔分别贯穿ILD保护层(800)。