[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体基板；

导电层，设于所述半导体基板上；

凸块，设于所述导电层上；以及

金属间化合物，设于所述凸块上，且所述金属间化合物为凹凸状。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凸块远离所述半导体基板的一侧具有凹凸表面。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述凹凸表面为凹凸状粗糙表面。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述凹凸状粗糙表面的表面粗糙度大于0.2。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括焊料层，所述焊料层设于所述金属间化合物上。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述焊料层具有与所述金属间化合物配合的凹凸状表面。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属间化合物的剖面呈梳状结构。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括凸块下金属层，设于所述凸块与所述导电层之间。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述凸块下金属层包覆所述凸块的侧壁。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，还包括焊料层，所述焊料层设于所述金属间化合物上；所述焊料层与所述凸块下金属层连接并界定一封闭腔室，所述凸块封闭于所述封闭腔室。

11.一种半导体结构制造方法，其特征在于，包括：

提供一半导体基板；

在所述半导体基板上设置一导电层；

在所述导电层上设置一凸块；以及

在所述凸块上形成一金属间化合物，所述金属间化合物为凹凸状。

12.根据权利要求11所述的半导体结构制造方法，其特征在于，将所述凸块远离所述半导体基板的一侧加工为凹凸表面。

13.根据权利要求12所述的半导体结构制造方法，其特征在于，所述凹凸表面为凹凸状粗糙表面。

14.根据权利要求13所述的半导体结构制造方法，其特征在于，所述凹凸状粗糙表面的表面粗糙度大于0.2。

15.根据权利要求11所述的半导体结构制造方法，其特征在于，在所述凸块上形成一金属间化合物，包括：

在所述凸块上设置焊料层，所述焊料层与所述凸块的接合处形成所述金属间化合物。

16.根据权利要求15所述的半导体结构制造方法，其特征在于，所述焊料层具有与所述金属间化合物配合的凹凸状表面。

17.根据权利要求11所述的半导体结构制造方法，其特征在于，所述金属间化合物的剖面呈梳状结构。

18.根据权利要求11所述的半导体结构制造方法，其特征在于，在所述导电层上设置一凸块之前，还包括：

提供一凸块下金属层，设于所述导电层上。

19.根据权利要求18所述的半导体结构制造方法，其特征在于，所述凸块下金属层包覆所述凸块的侧壁。

20.根据权利要求19所述的半导体结构制造方法，其特征在于，在所述凸块上形成一金属间化合物，包括：

在所述凸块上设置焊料层，所述焊料层与所述凸块的接合处形成所述金属间化合物；

所述焊料层与所述凸块下金属层连接并界定一封闭腔室，所述凸块封闭于所述封闭腔室。