[发明专利]日盲紫外光电化学光探测器及其产品

权利要求书

1.一种应用于日盲紫外的光电化学光探测器，其特征在于，所述光探测器包括光电极和与所述光电极接触的电解质溶液，以基于水还原反应作为光电反应机制，所述光电极包括：

衬底，以及

生长在所述衬底表面的GaN基纳米线，

GaN基纳米线包括n型GaN基纳米线和p型GaN基纳米线。

2.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述GaN基纳米线长度为10nm-5000nm，直径为5nm-5000nm，所述GaN基纳米线的覆盖密度为1%-99%。

3.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述衬底包括导电衬底。

4.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述光电极包括由n型GaN基纳米线形成的光阳极和p型GaN基纳米线形成的光阴极，还包括分布于所述光电极表面的助催化剂纳米颗粒。

5.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述GaN基纳米线为n型GaN基纳米线，所述光电极表面还包括形成于所述n型GaN基纳米线表面的一层保护层，所述保护层厚度小于等于10nm。

6.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述光电极还包括修饰于所述GaN基纳米线表面的助催化剂纳米颗粒，所述助催化剂纳米颗粒的尺寸为0.1nm-1000nm。

7.根据权利要求4所述的光探测器，其特征在于，所述助催化剂纳米颗粒包括具水氧化反应或还原反应活性的金属颗粒。

8.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述光电化学光探测器还包括：

设置于所述衬底导电区域的导线，

将所述导线、所述光电极进行包覆固定、露出所述光电极的GaN基纳米线的固化包覆结构。

9.根据权利要求8所述的光探测器，其特征在于，所述导线材料包括金、银或铜，所述导线的尺寸与所述衬底的尺寸匹配选取。

10.根据权利要求8所述的光探测器，其特征在于，所述固化包覆结构的材料包括可固化、并在固化后具备绝缘特性的液态材料，所述固化包覆结构包括环氧树脂。

11.根据权利要求8所述的光探测器，其特征在于，在所述导线与所述衬底之间还包括设置于衬底导电区域的液态合金以及设置于所述导线表面、与所述液态合金相对的导电胶；所述液态合金包括液态镓铟合金，所述液态镓铟合金纯度为90%~99.999999%；所述导电胶为银胶。

12.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述光电化学光探测器还包括：

与所述电解质溶液接触的参比电极和对电极，

所述参比电极和所述对电极、光电极之间的间距大于等于0.01mm；

其中，所述参比电极、对电极以及所述光电极分别与具备电流监测功能的电化学工作站相连。

13.根据权利要求12所述的光探测器，其特征在于，

所述电解质溶液为酸性或中性电解质溶液，所述酸性电解质溶液包括硫酸、盐酸、氢溴酸或高氯酸，所述中性电解质溶液包括硫酸钠或磷酸缓冲液，所述电解质溶液浓度为0.01mol/L~5mol/L；

所述参比电极为银或氯化银电极；

所述对电极包括铂电极或碳电极。