[发明专利]微影设备

说明书

一种微影设备包括极紫外(extreme ultraviolet；EUV)扫描器、耦合到EUV扫描器的EUV辐射源、石英晶体微量天平及回馈控制器。石英晶体微量天平设置在EUV辐射源及EUV扫描器中至少一者的内表面上。回馈控制器耦合到石英晶体微量天平及一或多个辐射源、液滴产生器及控制与EUV辐射源相关联的辐射源轨迹的光导元件中的一或更多者。

技术领域

本揭露是关于一种半导体制造设备，特别是关于一种微影设备及极紫外辐射源的回授控制系统的控制方法。

背景技术

对计算能力的需求呈指数级增长。经由增加半导体集成电路(integratedcircuit；IC)的功能密度，即每个晶片互连元件的数量，来满足计算能力的增加。随着功能密度的增加，晶片上个别元件的尺寸已经减小。集成电路中部件尺寸的减小已经随着诸如微影的半导体制造技术的进步而得到满足。

例如，用于微影的辐射波长已经从紫外降至深紫外(deep ultraviolet；DUV)，最近又降至极紫外(extreme ultraviolet；EUV)。部件尺寸的进一步减小需要微影解析度的进一步提高，此提高可使用极紫外微影(extreme ultraviolet lithography；EUVL)实现。EUVL采用波长约为1-100纳米的辐射。

产生EUV辐射的一种方法是激光产生电浆(laser-produced plasma；LPP)。在基于LPP的EUV光源中，高功率激光光束聚焦在小锡滴靶材上，形成高度游离的电浆，其发射EUV辐射，最大发射峰值在13.5纳米。LPP产生的EUV辐射强度取决于高功率激光从液滴靶材产生电浆的有效性。使高功率激光的脉冲与液滴靶材的产生及移动同步可提高基于LPP的EUV辐射源的效率。

发明内容

根据本揭露的一个态样，一种微影设备包括极紫外(extreme ultraviolet；EUV)扫描器、耦合到EUV扫描器的EUV源及石英晶体微量天平。石英晶体微量天平设置在EUV源及EUV扫描器中至少一者的内表面上。

附图说明

在结合附图阅读以下详细说明时最清晰地理解本揭露。应强调，依据产业中的标准实务，各种特征并非按比例绘制，且仅用于说明的目的。事实上，各种特征的尺寸可任意增大或减小，以便于论述明晰。

图1是根据本揭露的一些实施例构造的具有激光产生的电浆(laser producedplasma；LPP)EUV辐射源的EUV微影系统的示意图；

图2A、图2B、图2C、图2D、图2E及图2F分别示意性地示出了经由预脉冲在X-Z及X-Y平面中的靶材液滴运动；

图3A及图3B示意性地示出了预脉冲焦点及主脉冲焦点之间的距离在X及Y方向上变化的影响；

图4A示意性地示出了根据本揭露的一些实施例的EUV容器中的排气流；

图4B示意性示出了用于量测从EUV辐射源到曝光工具的碎片的设备；

图5A示出了根据本揭露的一些实施例的用于控制碎片颗粒的回馈控制系统的示意图；

图5B示意性示出了根据本揭露的一些实施例的基于回馈控制系统调整EUV辐射源的参数的效应；

图6示出了根据本揭露实施例的控制EUV辐射源的激发激光/质量侦测器系统的方法的流程图；

图7示意性示出了根据本揭露实施例的用于在EUV辐射源中执行靶材液滴质量量测的设备。

【符号说明】

100...EUV辐射源

105...腔室

110...收集镜

115...靶材液滴产生器