[发明专利]一种半导体激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201911206944.3 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN110890691B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 贾鹏;梁磊;陈泳屹;秦莉;宁永强;王立军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125;H01S5/183;H01S5/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王云晓 |
| 地址： | 130033 吉林省长春市*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括衬底、传输层、第一电极和第二电极；
所述传输层位于所述衬底表面，所述传输层背向所述衬底一侧表面刻蚀有窄条形波导，沿所述窄条形波导轴线的一端设置有第一布拉格光栅，沿所述窄条形波导轴线的另一端设置有第二布拉格光栅，所述第一布拉格光栅中凸起处的折射率小于所述第二布拉格光栅中凸起处的折射率，所述第一布拉格光栅中凹陷处的折射率小于所述第二布拉格光栅中凹陷处的折射率；所述第一布拉格光栅的反射光谱与所述第二布拉格光栅的反射光谱在预设波长处重叠；
所述第一电极位于所述衬底背向所述传输层一侧表面，所述第二电极位于所述窄条形波导背向所述衬底一侧表面；
所述第一布拉格光栅中凸起的顶部与所述窄条形波导顶部的距离大于所述第二布拉格光栅中凸起的顶部与所述窄条形波导顶部的距离；所述第一布拉格光栅中凹陷的底部与所述窄条形波导顶部的距离大于所述第二布拉格光栅中凹陷的底部与所述窄条形波导顶部的距离。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一布拉格光栅的反射光谱与所述第二布拉格光栅的反射光谱重叠的宽度的取值范围为0.2nm至0.4nm，包括端点值。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一布拉格光栅的反射光谱的中心反射波长与所述第二布拉格光栅的反射光谱的中心反射波长之间的差值的取值范围为0.1nm至0.3nm，包括端点值。
4.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述衬底为n型衬底；所述传输层包括：
位于所述衬底表面的n型包层；
位于所述n型包层背向所述衬底一侧表面的n型波导层；
位于所述n型波导层背向所述衬底一侧表面的有源层；
位于所述有源层背向所述衬底一侧表面的p型波导层；
位于所述p型波导层背向所述衬底一侧表面的p型包层；
位于所述p型包层背向所述衬底一侧表面的盖层。
5.根据权利要求4所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一布拉格光栅中凸起顶部位于所述p型包层或所述p型波导层，所述第一布拉格光栅中凹陷底部位于所述p型波导层；所述第二布拉格光栅中凸起顶部位于所述盖层，所述第二布拉格光栅中凹陷底部位于所述p型波导层。
6.根据权利要求1至5任一项权利要求所述的半导体激光器，其特征在于，所述窄条形波导包括第一窄条形波导段和第二窄条形波导段，所述第一窄条形波导段的宽度小于所述第二窄条形波导段，所述第一窄条形波导段与所述第二窄条形波导段沿所述窄条形波导的轴线交替设置；
所述第二电极位于所述第一窄条形波导段背向所述衬底一侧表面以及所述第二窄条形波导段背向所述衬底一侧表面。
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