[发明专利]基于雪崩三极管级联电路的输出可调纳秒脉冲源有效
申请号: | 201911207047.4 | 申请日: | 2019-11-29 |
公开(公告)号: | CN110880884B | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 谈宇光;鲁远甫;陈良培;焦国华;章逸舟;刘鹏 | 申请(专利权)人: | 深圳先进技术研究院 |
主分类号: | H02M9/04 | 分类号: | H02M9/04;H03K3/57 |
代理公司: | 深圳智趣知识产权代理事务所(普通合伙) 44486 | 代理人: | 王策 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 雪崩 三极管 级联 电路 输出 可调 脉冲 | ||
1.一种脉冲输出源控制电路,所述电路包括触发部分、级联充放电部分和负载部分,其特征在于,
所述触发部分包括雪崩晶体管、可控晶体管、限流电阻和电容,其中,直流电源经过限流电阻加到雪崩晶体管的集电极,所述可控晶体管与所述雪崩晶体管的基极连接,当所述雪崩晶体管处于截止状态时,所述直流电源能够经过限流电阻为所述电容充电;
所述级联充放电部分包括多个依次级联的单元,每个上述单元都包括一个雪崩晶体管、一个可控晶体管、限流电阻和充电电容;其中直流电源经过限流电阻加到所述雪崩晶体管的集电极,当所述雪崩晶体管处于截止状态时,所述直流电源能够经过限流电阻为所述充电电容充电;所述雪崩晶体管的发射极接地;每个上述单元中的雪崩晶体管的基极连接与当前所述单元紧邻的上一个单元或者与当前所述单元紧邻的所述触发部分中的充电电容;
每个上述单元中的所述可控晶体管的基极用于接收控制信号,所述可控晶体管的发射极连接当前单元中雪崩晶体管的基极,所述可控晶体管的集电极连接与当前所述单元紧邻的下一个单元的雪崩晶体管的集电极。
2.根据权利要求1所述的脉冲输出源控制电路,其特征在于,所述可控晶体管为NPN型。
3.根据权利要求1所述的脉冲输出源控制电路,其特征在于,所述可控晶体管与所述雪崩晶体管为同型号的晶体管或符合相同雪崩条件的晶体管。
4.根据权利要求1所述的脉冲输出源控制电路,其特征在于,所述可控晶体管的触发方式为软件触发或者硬件触发。
5.一种使用权利要求1-4任一项所述脉冲输出源控制电路的脉冲输出源控制方法,其特征在于,当所述触发部分没有接收到触发信号(P0)时,所述直流电源为所述充电电容充电;当所述触发部分接收到所述触发信号(P0)时,包括了多个所述充电电容的电容组开始放电以实现功率输出;向一个、两个或者多个所述单元中的所述可控晶体管的基极提供触发信号以将该可控晶体管所在单元中的充电电容排除在所述电容组之外,从而实现输出功率的调节。
6.根据权利要求5所述的脉冲输出源控制方法,其特征在于,向所述可控晶体管的基极提供触发信号具体为向相互间隔的两个或多个单元的可控晶体管的基极提供触发信号。
7.根据权利要求5所述的脉冲输出源控制方法,其特征在于,在向所述触发部分提供触发信号之前向所述可控晶体管的基极提供触发信号。
8.根据权利要求5所述的脉冲输出源控制方法,其特征在于,向所述触发部分提供的触发信号与向所述可控晶体管的基极提供的触发信号相同。
9.一种脉冲输出源系统,其特征在于,所述系统的控制电路包括权利要求1-4任一项所述的脉冲输出源控制电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳先进技术研究院,未经深圳先进技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911207047.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。