[发明专利]一种适用于湿法制备的基于铂配合物的有机发光器件在审

专利信息
申请号: 201911207382.4 申请日: 2019-11-29
公开(公告)号: CN110957431A 公开(公告)日: 2020-04-03
发明(设计)人: 程刚;毛茂;支志明 申请(专利权)人: 香港大学深圳研究院
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邹宗亮;牟科
地址: 518057 广东省深圳市南山区粤海*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 适用于 湿法 制备 基于 配合 有机 发光 器件
【权利要求书】:

1.一种基于铂配合物的OLED,其特征在于:在电子传输层和发光层之间具有空穴阻挡层;优选地,所述空穴阻挡层为TmPyPb,优选地,其厚度为10nm。

2.权利要求1的基于铂配合物的OLED,其依次包括阳极ITO、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极。

3.权利要求2的基于铂配合物的OLED,其中所述发光层由主体材料和Pt(II)配合物的共混物构成;优选地,所述主体材料选自m-TPAPy、o-TPAPy和o-CzPy,优选地,所述Pt(II)配合物选自tetra-Pt-N、tetra-Pt-S1、tetra-Pt-S2和tetra-Pt-S3,优选地,所述发光层中Pt(II)配合物的质量百分比为4wt%~20wt%;优选地,所述发光层的厚度为10-100nm。

4.权利要求2-3中任一项的基于铂配合物的OLED,其中所述电子传输层为TPBi,优选地,其厚度为40nm;优选地,其中所述电子注入层为LiF,优选地,其厚度为1.2nm;优选地,其中所述阴极为Al,优选地,其厚度为150nm。

5.权利要求2-4中任一项的基于铂配合物的OLED,其中所述空穴传输层为PEDOT:PSS;优选地,其中所述阳极ITO为ITO涂覆的基板;优选地,其中所述阳极ITO为ITO涂覆的玻璃基板。

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