[发明专利]一种显示面板及显示装置有效
申请号: | 201911207588.7 | 申请日: | 2019-11-29 |
公开(公告)号: | CN110993660B | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 张国峰;王俊强 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 卢志娟 |
地址: | 430205 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板具有开口区、非显示区和显示区;所述开口区贯穿所述显示面板,所述非显示区包括第一非显示区,所述第一非显示区位于所述开口区和所述显示区之间,且所述第一非显示区围绕所述开口区,所述显示区围绕所述第一非显示区;
所述显示面板包括:
衬底基板;
薄膜晶体管阵列层,所述薄膜晶体管阵列层位于所述衬底基板一侧;所述薄膜晶体管阵列层包括无机层,所述无机层包括第一无机层和第二无机层,所述第二无机层位于所述第一无机层远离所述衬底基板一侧;所述第一非显示区内,所述无机层朝向所述衬底基板一侧表面位于同一平面;
隔断槽,所述隔断槽位于所述第一非显示区,所述隔断槽贯穿所述第一无机层和所述第二无机层;其中,所述隔断槽位于所述第二无机层靠近所述衬底基板一侧的表面的开口在所述衬底基板的正投影覆盖所述第一无机层远离所述衬底基板一侧的表面的开口在所述衬底基板的正投影,所述隔断槽位于所述薄膜晶体管阵列层的至少一层所述无机层靠近所述衬底基板一侧的表面的开口在所述衬底基板的正投影大于且覆盖位于所述无机层远离所述衬底基板一侧的表面的开口在所述衬底基板的正投影;
发光功能膜层,所述发光功能膜层位于所述薄膜晶体管阵列层远离所述衬底基板一侧,所述发光功能膜层包括公共层,所述公共层位于所述第一非显示区和所述显示区;所述公共层在所述隔断槽处断开;
所述显示面板还包括位于所述发光功能膜层远离所述薄膜晶体管阵列层一侧的薄膜封装层,所述薄膜封装层至少包括一层无机封装层且所述无机封装层覆盖所述隔断槽的侧壁以及底壁;
所述隔断槽位于所述第一无机层和所述第二无机层靠近所述衬底基板一侧的表面的开口在所述衬底基板的正投影大于且覆盖所述无机层远离所述衬底基板一侧的表面的开口在所述衬底基板的正投影。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述隔断槽位于至少一层无机层远离所述衬底基板一侧的表面的开口在所述衬底基板的正投影覆盖所述无机层靠近所述衬底基板一侧的表面的开口在所述衬底基板的正投影。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,所述第一无机层和所述第二无机层交替设置。
4.根据权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管阵列层还包括第三无机层;所述第三无机层位于所述第二无机层远离所述衬底基板一侧,所述隔断槽贯穿所述第三无机层,所述隔断槽位于所述第三无机层靠近所述衬底基板一侧的表面的开口在所述衬底基板的正投影与所述第二无机层远离所述衬底基板一侧的表面的开口在所述衬底基板的正投影重合。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述隔断槽位于所述第三无机层靠近所述衬底基板一侧的表面的开口在所述衬底基板的正投影覆盖所述无机层远离所述衬底基板一侧的表面的开口在所述衬底基板的正投影;或者,
所述隔断槽位于所述第三无机层远离所述衬底基板一侧的表面的开口在所述衬底基板的正投影覆盖所述第三无机层靠近所述衬底基板一侧的表面的开口在所述衬底基板的正投影。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述隔断槽位于所述第一无机层、所述第二无机层和所述第三无机层靠近所述衬底基板一侧的表面的开口在所述衬底基板的正投影大于且覆盖所述无机层远离所述衬底基板一侧的表面的开口在所述衬底基板的正投影。
7.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管阵列层还包括第四无机层,所述第四无机层位于所述第一无机层朝向所述衬底基板一侧;所述隔断槽部分贯穿所述第四无机层,所述隔断槽位于所述第四无机层远离所述衬底基板的表面的开口在所述衬底基板的正投影与位于所述第一无机层靠近所述衬底基板的表面的开口在所述衬底基板的正投影重合,所述隔断槽位于所述第四无机层远离所述衬底基板的表面的开口在所述衬底基板的正投影大于且覆盖位于所述第四无机层靠近所述衬底基板的表面的开口在所述衬底基板的正投影。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的