[发明专利]微发光元件及图像显示元件

权利要求书

1.一种微发光元件，其具有从光放出面侧起依次层叠了第一导电层、发光层、及与所述第一导电层的导电型相反的第二导电层而成的化合物半导体，其特征在于，

在与所述光放出面侧相反一侧的面上配置有与所述第二导电层导通的第一金属膜，所述第一金属膜覆盖所述第二导电层，

在所述发光层的周围形成有倾斜面，从所述倾斜面到所述光放出面为止的第一导电层侧面的第一倾斜角度是大于所述倾斜面的第二倾斜角度的角度，

所述倾斜面及所述第一导电层侧面均由第二金属膜覆盖，在所述倾斜面与所述第二金属膜之间配置有第一透明绝缘膜。

2.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于，

在所述第一导电层侧面与所述第二金属膜之间配置有第二透明绝缘膜。

3.根据权利要求2所述的微发光元件，其特征在于，

所述第二透明绝缘膜是所述第一透明绝缘膜延伸至所述第一导电层侧面与所述第二金属膜之间的膜。

4.一种微发光元件，其具有从光放出面侧起依次层叠了第一导电层、发光层及导电型与所述第一导电层相反的第二导电层而成的化合物半导体，其特征在于，

在与所述光放出面侧相反一侧的面上配置有与所述第二导电层导通的第一金属膜，所述第一金属膜覆盖所述第二导电层，

在所述发光层的周围形成有倾斜面，所述倾斜面延伸至所述光放出面且由第二金属膜覆盖，在所述倾斜面与所述第二金属膜之间配置有第一透明绝缘膜。

5.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于，

在所述第二导电层与所述第一金属膜之间配置有第三透明绝缘膜。

6.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于，

在从与所述光放出面侧相反一侧俯视观察时，所述第二金属膜与所述第一金属膜重叠配置。

7.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于，

所述第一透明绝缘膜的膜厚为75nm以上。

8.根据权利要求7所述的微发光元件，其特征在于，

所述第一透明绝缘膜的膜厚为400nm以上。

9.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于，

所述第二倾斜角度为60°以下。

10.根据权利要求9所述的微发光元件，其特征在于，

所述第二倾斜角度为50°以下。

11.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于，

所述第一金属膜在所述化合物半导体侧具有以银或铝为主成分的层。

12.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于，

所述第二金属膜在所述化合物半导体侧具有以银或铝为主成分的层。

13.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于，

所述第一透明绝缘膜是SiO₂膜。

14.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于，

所述第一倾斜角度小于90°。

15.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于，

所述第二金属膜与所述第一导电层导通。

16.根据权利要求15所述的微发光元件，其特征在于，

在与所述光放出面侧相反一侧的面具有与所述第二金属膜导通的第二电极。

17.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于，

在所述第一导电层中的所述光放出面侧的面具有与所述第一导电层导通的由透明导电膜构成的光放出面侧电极。