[发明专利]一种基于光子晶体的可调谐带阻滤波器有效
| 申请号： | 201911208946.6 | 申请日： | 2019-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN110908017B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 陈善日;吴雨霏;周绍林;廖绍伟 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | G02B1/00 | 分类号： | G02B1/00;G02F1/19;G02F1/23 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;陈伟斌 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 光子 晶体 调谐 带阻滤波器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于光子晶体的可调谐带阻滤波器，其特征在于，所述滤波器主要是由六层结构组成，所述滤波器由三层介质层(10)和三层相变层(11)交替堆叠而成，并且相同介质的结构尺寸完全相同；所述相变层(11)使用的材料是Ge2Sb2Te5，介质层(10)使用的材料是Si4N3，所述相变层(11)的材料特性为在经过热/电激发下超过非晶态临界温度，由非晶态转换为晶态；
相变层(11)使用的材料是Ge2Sb2Te5，在非晶态时其介电常数为εa＝11.3+0.01i，在晶态时其介电常数为εc＝24.5+1.8i，i表示虚数单位；相变层(11)的长度为300-400mm，宽度为200-300mm，高度为36-38μm；相变层(11)的材料特性为在常温状态下保持非晶态；
介质层(10)使用的材料是Si4N3，其折射率n＝1.84，长度为300-400mm，宽度为200-300mm，高度为67-69μm，介质层(10)的材料特性为不随着热/电刺激而改变自身状态。
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