[发明专利]一种Mg-Gd-Y系镁合金微弧氧化工艺

权利要求书

1.一种Mg-Gd-Y系镁合金微弧氧化工艺，包括以下步骤：

S1、将Mg-Gd-Y系镁合金按设计图样加工成型，得到待氧化工件；

S2、配制微弧氧化前处理液：氢氧化钠水溶液，质量浓度为50g/L-100g/L；

S3、配制微弧氧化电解水溶液：其中溶质包括

成膜剂：硅酸钠，质量浓度为10g/L-20g/L；

辅助剂：氟化钾，质量浓度为10g/L-15g/L；六偏磷酸钠，质量浓度为10g/L-15g/L；氢氧化钾，质量浓度10g/L-15g/L；

添加剂：甘油，质量浓度为10ml/L-15ml/L；硝酸钇，质量浓度为1g/L-6g/L；乙二胺四乙酸二钠，质量浓度为1g/L-5g/L；

S4、将S1步骤获得的待氧化工件放置于前处理液中，所述前处理液的温度为60-80℃，放置时间20-30min；

S5、将待氧化工件从前处理液中取出，置于第一去离子水槽中水洗1-2min，取出后，再置于第二去离子水槽中继续水洗1-2min，从第二去离子水槽中取出后，置于烘箱中进行烘干，烘干温度优选50-60℃，烘干时间优选10-15min；

S6、用S5步骤处理过的待氧化工件作为阳极，金属材料作为阴极，选用恒电压模式调节正电压为300-400V，负电压0V，在S3步骤所配制的微弧氧化电解水溶液中进行微弧氧化处理，优选控制微弧氧化电解水溶液温度不高于40℃，得到氧化工件。

2.根据权利要求1所述的Mg-Gd-Y系镁合金微弧氧化工艺，还包括

S7、将S6步骤获得的氧化工件放置于第三去离子水槽中进行水洗1-2min，取出后烘干，最后得到有致密稳定的微弧氧化层的Mg-Gd-Y系镁合金氧化工件。

3.根据权利要求1或2所述的Mg-Gd-Y系镁合金微弧氧化工艺，所述S1步骤中的Mg-Gd-Y系镁合金质量百分比组成为Gd：8.50-9.50％，Y：3.0-4.0％，Zr：0.40-0.60％，其余为Mg及不可去除的杂质元素。

4.根据权利要求1所述的Mg-Gd-Y系镁合金微弧氧化工艺，所述S6步骤中，选用恒电压模式调节正电压为350V。

5.根据权利要求1所述的Mg-Gd-Y系镁合金微弧氧化工艺，所述S6步骤中辅助剂：氟化钾，质量浓度为10g/L-15g/L；六偏磷酸钠，质量浓度为10g/L-15g/L。

6.根据权利要求1所述的Mg-Gd-Y系镁合金微弧氧化工艺，所述S4步骤中所述前处理液的加热方式可以采用现有技术中的常规加热方式，如热介质加热、电加热、微波加热等，优选采用加热速度、温度控制性较好的加热方式，如热水、热油加热。

7.根据权利要求1所述的Mg-Gd-Y系镁合金微弧氧化工艺，所述S6步骤中微弧氧化处理的时间为5-20min，优选10-20min。

8.根据权利要求1所述的Mg-Gd-Y系镁合金微弧氧化工艺，所述S6步骤中微弧氧化处理的电解水溶液温度不高于40℃，采用加热速度、温度控制性较好的加热方式，如热水、热油加热，并用温控器进行控制。

9.根据权利要求1所述的Mg-Gd-Y系镁合金微弧氧化工艺，所述S6步骤中不锈钢作为阴极。

10.根据权利要求2所述的Mg-Gd-Y系镁合金微弧氧化工艺，所述S7步骤中氧化工件取出后烘干温度为50-60℃，烘干时间10-50min，优选15-25min。