[发明专利]半导体装置及其制造方法及包括该半导体装置的电子设备

权利要求书

1.一种半导体装置，包括衬底上彼此相对的第一器件和第二器件，第一器件和第二器件各自均包括：

沟道部，包括：

沿相对于衬底的竖直方向延伸的呈鳍形式的第一部分；以及

从第一部分沿相对于衬底的横向方向延伸的呈纳米片形式的第二部分；

设置在沟道部在实质上平行于衬底表面的第一方向上的两侧从而与沟道部在所述两侧的侧壁相接的源/漏部；以及

沿与所述第一方向相交的第二方向延伸从而与沟道部相交的栅堆叠，

其中，第一器件的沟道部的第二部分与第二器件的沟道部的第二部分彼此相向或相反延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一器件的沟道部的第二部分与第二器件的沟道部中相对的第二部分实质上共面。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，第一器件和第二器件中至少一个器件的沟道部包括多个所述第二部分，各第二部分之间在竖直方向上彼此间隔开。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，第一器件的沟道部的第二部分与第二器件的沟道部的第二部分成对出现，各对第二部分彼此相对且实质上共面。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述至少一个器件的沟道部的所述多个第二部分具有实质上相同的形状，且在竖直方向上实质上对准。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，第一器件的沟道部的第一部分和第二器件的沟道部的第一部分具有实质上相同的厚度。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，第一器件的沟道部的第一部分和第二器件的沟道部的第一部分具有实质上共面的顶面。

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，沟道部包括单晶半导体材料。

9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，沟道部的第一部分与源/漏部之间，沟道部的第二部分与源/漏部之间，沟道部的第一部分与第二部分之间中至少之一处存在晶体界面。

10.根据权利要求1或2所述的半导体装置，还包括：

在栅堆叠的侧壁上形成的隔墙，所述隔墙面向各源/漏部的侧壁在竖直方向上实质上共面。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述隔墙包括：

在沟道部的两侧以及在沟道部的最上的第二部分上延伸的第一部分；以及

在沟道部的各第二部分之间以及沟道部的最下的第二部分与衬底之间延伸的第二部分，

其中，隔墙的第一部分和第二部分包括不同的材料。

12.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，栅堆叠在各第二部分的上、下表面上延伸，栅堆叠在各第二部分的上表面上延伸的部分的侧壁与栅堆叠在相应第二部分的下表面上延伸的部分的侧壁在竖直方向上实质上对齐。

13.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，第一器件和第二器件中每一器件的沟道部的第一部分和第二部分包括不同的半导体材料。

14.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，第一器件的沟道部的第一部分和第二器件的沟道部的第一部分包括相同的半导体材料。

15.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，第一器件的沟道部的第二部分和第二器件的沟道部的第二部分包括相同的半导体材料。

16.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，第一器件和第二器件中每一器件的沟道部的第一部分和第二部分具有不同的掺杂浓度和/或掺杂杂质。