[发明专利]高光效紫外LED外延结构在审
| 申请号： | 201911210984.5 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN111063772A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 付羿;刘卫 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司;江西晶亮光电科技协同创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/04;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高光效 紫外 led 外延 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种高光效紫外LED外延结构，其特征在于，包括：在生长衬底表面依次生长的应力控制层、n型电流扩展层、有源区发光层、电子阻挡层及p型电流扩展层；其中，电子阻挡层为由ScaAl1-aN层和GaN层形成的周期性结构，0.15a0.20。
2.如权利要求1所述的高光效紫外LED外延结构，其特征在于，所述电子阻挡层由6～9个ScaAl1-aN层和GaN层形成的周期性结构组成。
3.如权利要求1或2所述的高光效紫外LED外延结构，其特征在于，所述ScaAl1-aN层的厚度为2～4nm，GaN层的厚度为2～4nm。
4.如权利要求1或2所述的高光效紫外LED外延结构，其特征在于，所述电子阻挡层中掺杂有浓度在9×1019～2×1020cm-2之间的Mg。
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