[发明专利]R-T-B系永磁体的制造方法有效

专利信息
申请号: 201911211377.0 申请日: 2019-12-02
公开(公告)号: CN111261352B 公开(公告)日: 2022-06-03
发明(设计)人: 坪仓多惠子;增田健;村瀬琢 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057;H01F41/02
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦;王磊
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 永磁体 制造 方法
【说明书】:

R‑T‑B系永磁体的制造方法具有使扩散材料附着于磁铁基材的表面,并将附着了扩散材料的磁铁基材进行加热的扩散工序,磁铁基材含有稀土元素R、过渡金属元素T和硼B,至少一部分R为Nd,至少一部分T为Fe,扩散材料含有第一成分、第二成分和第三成分,第一成分为Tb的单体和Dy的单体中的至少一种,第二成分为含有Nd和Pr中至少一种且不含Tb和Dy的金属,第三成分为选自铜的单质、含有铜的合金和铜的化合物中的至少一种。或者,第一成分为Tb的氢化物和Dy的氢化物中至少一种,第二成分为Nd的氢化物和Pr的氢化物中的至少一种。

技术领域

发明涉及R-T-B系永磁体的制造方法。

背景技术

含有稀土元素R(钕等)、过渡金属元素T(铁等)和硼B的R-T-B系永磁体具有优异的磁特性。作为表示R-T-B系永磁体的磁特性的指标,通常使用剩余磁通密度Br(剩余磁化)和矫顽力HcJ。

R-T-B系永磁体为成核型(Nucleation TYPE)的永磁体。通过对成核型的永磁体施加与磁化方向相反的磁场,容易在构成永磁体的多个晶粒(主相颗粒)的晶界附近产生磁化反转的核。由于该磁化反转的核,永磁体的矫顽力减少。

为了提高R-T-B系永磁体的矫顽力,向R-T-B系永磁体添加镝等重稀土元素。通过重稀土元素的添加,各向异性磁场容易在晶界附近局部变大,磁化反转的核在晶界附近难以产生,矫顽力增加。但是,在重稀土元素的添加量过多的情况下,R-T-B系永磁体的饱和磁化(饱和磁通密度)减少,剩余磁通密度也减少。因此,期望兼得含有重稀土元素的R-T-B系永磁体的剩余磁通密度和矫顽力。另外重稀土元素的价格高,因此,为了降低R-T-B系永磁体的制造成本,也期望降低R-T-B系永磁体中的重稀土元素的含量。

例如,国际公开第2018/030187号小册子所记载的R-T-B系烧结磁铁的制造方法具有:经由粘接剂使粉末状的扩散材料附着于烧结磁铁的表面的工序;和通过对附着有扩散材料的烧结磁铁加热,使扩散材料中的重稀土元素向烧结磁铁内扩散的工序。国际公开第2018/030187号小册子中,作为扩散材料的一例,记载了含有镝及铽中的至少一种重稀土元素和钕及镨中的至少一种轻稀土元素的合金。

发明内容

发明所要解决的技术问题

本发明是鉴于上述情况而研发的,其目的在于,提供一种磁特性优异的R-T-B系永磁体的制造方法。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个方面为一种R-T-B系永磁体的制造方法,具有使扩散材料附着于磁铁基材的表面,并将附着了扩散材料的磁铁基材进行加热的扩散工序,磁铁基材含有稀土元素R、过渡金属元素T和硼B,至少一部分稀土元素R为钕,至少一部分过渡金属元素T为铁,扩散材料含有第一成分、第二成分和第三成分,第一成分为铽的单质和镝的单质中至少一种,第二成分为含有钕和镨中的至少一种且不含铽和镝的金属,第三成分为选自铜的单质、含有铜的合金和铜的化合物中的至少一种。

本发明的一个方面中,第二成分可以是钕的单质和镨的单质中的至少一种,第三成分可以是铜的单质。

本发明的另一方面为一种R-T-B系永磁体的制造方法,具有使扩散材料附着于磁铁基材的表面,并将附着了扩散材料的磁铁基材进行加热的扩散工序,磁铁基材含有稀土元素R、过渡金属元素T和硼B,至少一部分稀土元素R为钕,至少一部分过渡金属元素T为铁,扩散材料含有第一成分、第二成分和第三成分,第一成分为铽的氢化物和镝的氢化物中的至少一种,第二成分为钕的氢化物和镨的氢化物中的至少一种,第三成分为选自铜的单质、含有铜的合金和铜的化合物中的至少一种。

扩散材料可以是浆料或膏。

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