[发明专利]双管正激变换电路的保护电路

权利要求书

1.一种双管正激变换电路的保护电路，其特征在于，其包括上功率开关管(Q1)、下功率开关管(Q2)、上箝位二极管(D1)、下箝位二极管(D2)、变压器(T1)以及开关管驱动控制器；

上功率开关管(Q1)的入端及上箝位二极管(D1)负端通过正直流母线接直流工作电源正(VCC)；

下功率开关管(Q2)的出端及下箝位二极管(D2)正端通过负直流母线接工作地；

上功率开关管(Q1)的出端接下箝位二极管(D2)负端及变压器(T1)原边线圈上端；

下功率开关管(Q2)的入端接上箝位二极管(D1)正端及变压器(T1)原边线圈下端；

所述保护电路包括电流检测器件(S1)、第三二极管(D3)、第四二极管(D4)、第一电阻(R1)及第二电阻(R2)；

所述电流检测器件(S1)用于对流过直流母线的电流采样；

所述电流检测器件(S1)的正端接第三二极管(D3)正端及第四二极管(D4)负端；

第二电阻(R2)同第四二极管(D4)串接在电流检测器件(S1)负端同正端之间；

第一电阻(R1)同第三二极管(D3)串接在电流检测器件(S1)负端同正端之间；

当直流母线的电流为从工作电源正(VCC)经直流母线流向工作地时，所述电流检测器件(S1)的正端输出的电流经第三二极管(D3)及第一电阻(R1)流向其负端；

当直流母线的电流为从工作地经直流母线流向工作电源正(VCC)时，所述电流检测器件(S1)的负端输出的电流经第二电阻(R2)及第四二极管(D4)流向其正端；

所述开关管驱动控制器，用于发送PWM信号到所述上功率开关管(Q1)及下功率开关管(Q2)的控制端，控制上功率开关管(Q1)及下功率开关管(Q2)同时导通或同时关断；并且，当控制上功率开关管(Q1)及下功率开关管(Q2)同时关断时，如果第二电阻(R2)两端电压(Vr)为0，开关管驱动控制器输出保护信号使双管正激变换电路进入保护状态；当控制上功率开关管(Q1)及下功率开关管(Q2)同时导通时，如果第一电阻(R1)两端电压(Vd)为大于设定电压，开关管驱动控制器输出保护信号使双管正激变换电路进入保护状态。

2.根据权利要求1所述的双管正激变换电路的保护电路，其特征在于，

当开关管驱动控制器输出保护信号，控制直流母线断开、控制直流工作电源关闭或者控制停止输出PWM信号到上功率开关管(Q1)及下功率开关管(Q2)。

3.根据权利要求1所述的双管正激变换电路的保护电路，其特征在于，

第一电阻(R1)小于第二电阻(R2)。

4.根据权利要求1所述的双管正激变换电路的保护电路，其特征在于，

第一电阻(R1)的阻值为0.1Ω～10Ω。

5.根据权利要求1所述的双管正激变换电路的保护电路，其特征在于，

第二电阻(R2)的阻值为10Ω～1KΩ。

6.根据权利要求1所述的双管正激变换电路的保护电路，其特征在于，

上功率开关管(Q1)、下功率开关管(Q2)同为MOSFET。

7.根据权利要求6所述的双管正激变换电路的保护电路，其特征在于，

所述MOSFET为N型；

所述MOSFET的漏端作为入端，源端作为出端，栅端作为控制端。

8.根据权利要求6所述的双管正激变换电路的保护电路，其特征在于，

所述MOSFET为P型；

所述MOSFET的源端作为入端，漏端作为出端，栅端作为控制端。

9.根据权利要求1所述的双管正激变换电路的保护电路，其特征在于，

上功率开关管(Q1)、下功率开关管(Q2)同为IGBT。

10.根据权利要求1所述的双管正激变换电路的保护电路，其特征在于，

所述设定电压为0.2V、0.5V、或1V；

所述电流检测器件(S1)用于对流过负直流母线的电流采样，或者对流过正直流母线的电流采样；

所述双管正激变换电路为逆变焊机的双管正激变换电路。