[发明专利]通过反馈控制鳍薄化

权利要求书

1.一种用于薄化半导体鳍的方法，包括：

形成延伸到半导体衬底中的隔离区域，其中，第一半导体条带位于所述隔离区域之间；

使所述隔离区域凹陷，其中，所述第一半导体条带的顶部突出高于所述隔离区域的顶表面以形成第一半导体鳍；

测量所述第一半导体鳍的第一鳍宽度；

基于所述第一鳍宽度生成第一蚀刻方案；以及

使用所述第一蚀刻方案对所述第一半导体鳍执行第一薄化工艺。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一薄化工艺之后，重新测量所述第一半导体鳍的第二鳍宽度。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括在重新测量所述第二鳍宽度之后：

基于所述第二鳍宽度生成第二蚀刻方案；并且

使用所述第二蚀刻方案对所述第一半导体鳍执行第二薄化工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

测量第二半导体鳍的第三鳍宽度，其中，所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍由不同材料形成；

基于所述第三鳍宽度生成第三蚀刻方案；并且

使用所述第三蚀刻方案对所述第二半导体鳍执行第三薄化工艺。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述第一薄化工艺中，所述第二半导体鳍暴露于用于所述第一薄化工艺的第一蚀刻化学物质并且所述第二半导体鳍基本上未被薄化，并且其中，在所述第三薄化工艺中，所述第一半导体鳍暴露于用于所述第三薄化工艺的第二蚀刻化学物质并且所述第一半导体鳍基本上未被薄化。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，生成所述第一蚀刻方案包括：

确定所述第一半导体鳍的所述第一鳍宽度与目标鳍宽度之间的差异；并且

基于所述差异确定所述第一薄化工艺的蚀刻时间。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一薄化工艺是使用湿法蚀刻执行的。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在通过所述第一薄化工艺薄化的所述第一半导体鳍上形成虚设栅极堆叠。

9.一种用于薄化半导体鳍的方法，包括：

形成第一半导体鳍，所述第一半导体鳍突出高于所述第一半导体鳍的相对侧上的第一隔离区域，其中，所述第一半导体鳍由第一半导体材料形成；

形成第二半导体鳍，所述第二半导体鳍突出高于所述第二半导体鳍的相对侧上的第二隔离区域，其中，所述第二半导体鳍由不同于所述第一半导体材料的第二半导体材料形成；

测量所述第一半导体鳍的第一鳍宽度；

测量所述第二半导体鳍的第二鳍宽度；

使用第一蚀刻化学物质基于所述第一鳍宽度来薄化所述第一半导体鳍，其中，当所述第一半导体鳍被薄化时，所述第二半导体鳍暴露于所述第一蚀刻化学物质；以及

基于所述第二鳍宽度来薄化所述第二半导体鳍。

10.一种用于薄化半导体鳍的方法，包括：

形成第一半导体区域，其中，所述第一半导体区域的侧壁被暴露；

测量所述第一半导体区域的第一宽度；

基于所述第一半导体区域的所述第一宽度和第一目标宽度生成第一蚀刻方案，其中，所述第一目标宽度是所述第一半导体区域的预期宽度；以及

使用所述第一蚀刻方案来蚀刻所述第一半导体区域。