[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面沉积至少两层阻挡层；

刻蚀第一阻挡层形成间隔排列的沟槽，所述沟槽的尺寸为第一宽度；

沿着平行于所述沟槽的方向，刻蚀第二阻挡层形成第二宽度的沟槽，所述第二宽度小于所述第一宽度；

再沿着垂直于所述沟槽的方向，在所述阻挡层表面沉积介质层；

刻蚀所述介质层形成间隔排列的沟槽，所述沟槽的尺寸为第三宽度，所述第三宽度小于所述第二宽度；

根据第二宽度和第三宽度的尺寸，刻蚀所述半导体衬底形成有源区。

2.根据权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，在刻蚀第一阻挡层的步骤之前还包括：

在第一阻挡层表面形成图形化的第一掩膜层；所述第一掩膜层的图形为间隔排列的沟槽，所述沟槽的尺寸为第一宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，刻蚀所述第二阻挡层形成第二宽度的沟槽的步骤进一步还包括：

在所述沟槽的侧壁形成侧壁介质层，所述侧壁介质层的厚度为10nm～20nm；

沿着所述侧壁介质层的表面，刻蚀第二阻挡层形成第二宽度的沟槽，所述第二宽度小于所述第一宽度。

4.根据权利要求3所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述沟槽的侧壁形成侧壁介质层的步骤进一步还包括：

在所述沟槽表面沉积介质层，刻蚀掉所述沟槽底部暴露出的底部介质层，保留在所述沟槽的侧壁形成的侧壁介质层。

5.根据权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，在刻蚀介质层的步骤之前还包括：

在介质层表面形成图形化的第二掩膜层；所述第二掩膜层的图形为间隔排列的沟槽，所述沟槽的尺寸为第二宽度。

6.根据权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，刻蚀所述介质层形成第三宽度的沟槽的步骤进一步还包括：

在所述沟槽的侧壁形成侧壁介质层，所述侧壁介质层的厚度为10nm～20nm；

沿着所述侧壁介质层的表面，刻蚀介质层形成第三宽度的沟槽，所述第三宽度小于所述第二宽度。

7.根据权利要求6所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述沟槽的侧壁形成侧壁介质层的步骤进一步还包括：

在所述沟槽表面沉积介质层，刻蚀掉所述沟槽底部暴露出的底部介质层，保留在所述沟槽的侧壁形成的侧壁介质层。

8.根据权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，还包括：自最外层起依次去除刻蚀后的所述阻挡层和介质层，使刻蚀后的半导体衬底形成有源区。

9.根据权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，还包括：所述阻挡层和介质层的材料包括：二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、多晶硅、单晶硅、碳中的至少一种。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有源区；

有源区，基于权利要求1至9所述半导体结构形成方法形成。