[发明专利]量子点发光器件及其制备方法

说明书

本申请涉及一种量子点发光器件及其制备方法，其中，量子点发光器件包括层叠设置的阳极、量子点发光层、包含纳米片结构的电子传输层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极及所述电子传输层之间，所述电子传输层设置在所述量子点发光层及所述阴极之间，所述纳米片结构包括铺设在所述电子传输层中的若干纳米片。含上述电子传输层结构的量子点发光器件的漏电流小，器件效率和稳定性得到提升。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种量子点发光器件及其制备方法。

背景技术

量子点发光器件(QLED)具有出射光颜色饱和，波长可调的优点，而且光致、电致发光量子产率高，近年来成了OLED的有力竞争着。

在QLED器件结构中，通常具有量子点发光层和与之相邻的电子传输层，而目前的量子点发光层和电子传输层的材料多为纳米颗粒。在正置的量子点发光器件结构中，电子传输层设于量子点发光层的上方，电子传输层中的颗粒容易渗入量子点发光层的颗粒缝隙中，成为激子发光的淬灭点，并且因颗粒的损失电子传输层本身的成膜性差。而在倒置的量子点发光器件结构中，量子点发光层设于电子传输层的上方，量子点发光层中的颗粒容易渗入电子传输层的颗粒缝隙中，因颗粒的流失导致量子点发光层的成膜性差，漏电流大。也就是说，无论是正置结构的器件还是倒置结构的器件，量子点发光层的颗粒材料或电子传输层的颗粒材料均会互相渗透，造成层级污染，导致量子点发光器件的漏电流大，发光不均匀，器件效率、稳定性很差。

发明内容

基于此，有必要提供一种可以防止量子点发光层与电子传输层的材料之间相互渗透的新型量子点发光器件及其制备方法。

一种量子点发光器件，其包括层叠设置的阳极、量子点发光层、包含纳米片结构的电子传输层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极及所述电子传输层之间，所述电子传输层设置在所述量子点发光层及所述阴极之间，所述纳米片结构包括铺设在所述电子传输层中的若干纳米片。

在其中一个实施例中，所述电子传输层包括层叠设置的第一电子传输层及第二电子传输层，所述量子点发光层设置于所述阳极及所述第一电子传输层之间，所述第一电子传输层设置于所述量子点发光层及所述第二电子传输层之间，所述第二电子传输层设置于所述第一电子传输层及所述阴极之间；及

所述纳米片结构包括铺设在所述第一电子传输层中的若干所述纳米片。

在其中一个实施例中，所述第二电子传输层的材料为纳米颗粒。

在其中一个实施例中，所述第一电子传输层中纳米片的材料与所述第二电子传输层中的电子传输材料为同种电子传输材料。

在其中一个实施例中，若干所述纳米片中有75％以上的纳米片的生长延伸方向是一致的。

在其中一个实施例中，若干所述纳米片沿与所述第一电子传输层延伸的方向上铺设于所述第一电子传输层中。

在其中一个实施例中，相邻所述纳米片相互连接。

在其中一个实施例中，所述第一电子传输层中纳米片的材料选自ZnO、BaO和TiO2中的至少一种电子传输材料。

在其中一个实施例中，所述第一电子传输层的厚度为5nm-20nm。

在其中一个实施例中，还包括设于所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴注入层和/或空穴传输层。

本申请还提供一种量子点发光器件的制备方法，其包括如下步骤：

在保护气体氛围下，在阳极上形成量子点发光层，在所述量子点发光层上形成包含纳米片结构的电子传输层，以及在所述电子传输层上形成阴极；或

在保护气体氛围下，在阴极上形成包含纳米片结构的电子传输层，在所述电子传输层上形成量子点发光层，以及在所述量子点发光层上形成阳极；