[发明专利]一种磁传感器在审
| 申请号： | 201911215140.X | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN111044952A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 朱大鹏;李迎港;陈伟斌;郝润润;赵巍胜;冷群文 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学青岛研究院 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 柳岩 |
| 地址： | 266104 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 传感器 | ||
1.一种磁传感器，其特征在于，包括：
至少一个磁电阻传感单元，所述磁电阻传感单元为拓扑绝缘体和铁磁金属双层薄膜结构；
或者，所述磁电阻传感单元为外尔半金属和铁磁金属双层薄膜结构；
所述磁电阻传感单元被配置为沿其最大外轮廓方向通入电流，Rashba自旋轨道耦合作用下的等效磁场使所述磁电阻传感单元的磁矩偏置45°；
基底和绝缘层，所述基底和所述绝缘层对所述磁电阻传感单元形成封装。
2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述拓扑绝缘体是Bi2Se3、Bi2Te3、Sb2Te3、(BixSb1-x)2Te3材料的晶体薄膜；
或者，所述拓扑绝缘体是BiSex材料的多晶或非晶薄膜。
3.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述外尔半金属是WTe2、MoTe2、MoxW1-xTe2材料的单晶、多晶或非晶薄膜。
4.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述铁磁金属为NixFe1-x、CoxFeyB1-x-y、NixCo1-x、NixFeyCo1-x-y、NixFeyMo1-x-y或者Co材料。
5.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述磁电阻传感单元采用磁控溅射(Sputtering)或分子束外延生长(MBE)方式成型。
6.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述磁传感器为惠斯通电桥结构，所述惠斯通电桥结构的各桥臂上设有数量相同的至少一个磁电阻传感单元，所述磁电阻传感单元的连接方向为最大外轮廓方向。
7.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述磁电阻传感单元的形状为椭圆形或长方形。
8.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述基底的材料为Si或SiO2。
9.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述绝缘层为Al2O3、SiNx或SiO2。
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