[发明专利]一种光电探测器及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器依次包括衬底、聚酰亚胺层、二碲化钼单层和聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)层，在所述二碲化钼单层的边缘制作源电极和漏电极，在聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)层上制作栅电极制得。

2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述聚酰亚胺的层厚度为1.2～1.7μm；所述聚聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)层的厚度为290～310nm；所述二碲化钼单层的厚度为0.6～1nm。

3.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述衬底为硅或石英。

4.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述源电极和漏电极的电极材料为铬金合金，所述栅电极的电极材料为铝。

5.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器的探测波长为360nm～12μm。

6.一种根据权利要求1-5任一项所述的光电探测器的制备方法，其特征在于，包括如下具体步骤：

S1.在衬底上旋涂氨酸溶液，匀胶，并在150～155℃退火，制备聚酰亚胺层；

S2.采用机械剥离法用胶带反复重叠，按压，撕剥二碲化钼晶体，再将胶带置于干净的硅片上，按压后撕下，在硅片上制作二碲化钼单层；

S3.将PMMA层旋涂在二维二碲化钼单层上，在80～85℃烘干，然后将硅片置于去离子水中，剥离下PMMA层，将二碲化钼单层移到载玻片上，将载玻片置于S1步骤中得到聚亚酰胺层上，将二碲化钼单层转移到聚亚酰胺层上；

S4.在二碲化钼单层边缘制作源电极和漏电极；

S5.将源电极、漏电极和二碲化钼层的上面匀胶聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)层；然后在聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)层上制作栅极电极，制得光电探测器。

7.根据权利要求6所述的光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述匀胶的速率为8000～10000转/秒，所述氨酸溶液的浓度为15～20wt％，所述匀胶的时间为60～70秒，所述退火的时间为1～2h。

8.根据权利要求6所述的光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤S3中所述旋涂的速率为8000～10000转/秒，所述烘干的时间为1～2h。

9.根据权利要求6所述的光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤S3中所述PMMA层的厚度为0.5～1mm。

10.权利要求1-5任一项所述的光电探测器在红外成像或夜景照相机领域中的应用。