[发明专利]集成感测的AM-EWOD阵列元件电路和感测液滴融合的方法

权利要求书

1.一种有源矩阵介质上电润湿AM-EWOD器件的操作方法，

其中，所述AM-EWOD器件包括以行和列的阵列布置的多个阵列元件，所述阵列元件中的每一个包括阵列元件电路和阵列元件电极；并且

其中，每个阵列元件的阵列元件电路包括致动电路和阻抗传感器电路，所述致动电路被配置成向所述阵列元件电极施加致动电压以用于致动所述阵列元件，所述阻抗传感器电路被集成到所述阵列元件电路中并被配置成感测所述阵列元件电极处的相邻阵列元件电极之间的阻抗，所述阻抗传感器电路包括传感器电容器和传感器读出晶体管，所述传感器读出晶体管输出用于感测的输出电流；

所述操作方法包括以下步骤：

对施加到第一阵列元件的阵列元件电极的电压进行扰动；

将电压扰动耦合到与所述第一阵列元件相邻的第二阵列元件的阵列元件电极；以及

测量来自所述第二阵列元件的传感器读出晶体管的输出电流，以响应于所述电压扰动而进行感测。

2.根据权利要求1所述的操作方法，其中，每个阵列元件的阵列元件电路还包括连接到所述阵列元件电极的存储电容器，并且所述电压扰动包括对输入至所述第一阵列元件的存储电容器的电压进行扰动，所述第一阵列元件的存储电容器耦合到所述第一阵列元件的阵列元件电极。

3.根据权利要求2所述的操作方法，其中，经由行寻址线来施加对所述存储电容器的输入。

4.根据权利要求2所述的操作方法，其中，经由列寻址线来施加对所述存储电容器的输入。

5.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述电压扰动包括对输入至所述第一阵列元件的驱动晶体管的电压进行扰动，所述第一阵列元件的驱动晶体管耦合到所述第一阵列元件的阵列元件电极。

6.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述阵列元件电路还包括与连接到所述阵列元件电极的驱动晶体管不同的第二晶体管，并且所述电压扰动包括对输入至所述第一阵列元件的第二晶体管的电压进行扰动，所述第一阵列元件的第二晶体管耦合到所述第一阵列元件的阵列元件电极。

7.根据权利要求1所述的操作方法，还包括：在对施加到所述第一阵列元件的阵列元件电极的电压进行扰动之前，将所述第二阵列元件的传感器读出晶体管的栅极处的电压重置到初始化电压，所述初始化电压使所述第二阵列元件的传感器读出晶体管断开。

8.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述电压扰动通过所述第二阵列元件的传感器电容器从所述第二阵列元件的阵列元件电极耦合到所述第二阵列元件的传感器读出晶体管。

9.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述第一阵列元件和所述第二阵列元件在不同的行中。

10.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述第一阵列元件和所述第二阵列元件在不同的列中。

11.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述第一阵列元件和所述第二阵列元件是所述阵列内的相邻阵列元件。

12.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述第一阵列元件和所述第二阵列元件是所述阵列内的不相邻阵列元件。

13.根据权利要求1所述的操作方法，包括：

对施加到多个第一阵列元件的阵列元件电极的电压进行扰动；

将电压扰动耦合到与所述多个第一阵列元件不同的第二阵列元件的阵列元件电极；并且

测量来自所述第二阵列元件的传感器读出晶体管的输出电流，以响应于所述电压扰动而进行感测。

14.根据权利要求1所述的操作方法，还包括：基于测量到的输出电流来确定极性液滴是否跨越所述第一阵列元件与所述第二阵列元件之间的间隙。