[发明专利]用于半导体制造的化学品加热装置有效
| 申请号： | 201911217272.6 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN110993532B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 谭华强;王卓 | 申请（专利权）人： | 拓荆科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 陈福昌 |
| 地址： | 110179 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 制造 化学品 加热 装置 | ||
1.用于半导体制造的化学品加热装置，其特征在于，包括：
一外壳，具有一入口及一出口，该入口和该出口供化学品进入及排出壳体；
一导流器，容置于该外壳中并形成有复数个流道及一或多个容置槽，其中该等流道与该入口和该出口连通且该等流道与该一或多个容置槽结构上相互独立，且该等流道弯延地延伸于该导流器的一平面；及
一或多个加热单元，容置于该一或多个容置槽以对该导流器加热。
2.用于半导体制造的化学品加热装置，其特征在于，包括：
一外壳，具有一入口及一出口，该入口和该出口供化学品进入及排出壳体；
一导流器，容置于该外壳中并形成有复数个流道及一或多个容置槽，其中该导流器与该外壳的一顶部和一底部分别保持距离以分别定义一第一停留空间及一第二停留空间,该等流道与该入口和该出口连通且该等流道与该一或多个容置槽结构上相互独立，且该等流道相互平行地延伸于该第一停留空间及该第二停留空间之间；及
一或多个加热单元，容置于该一或多个容置槽以对该导流器加热。
3.如权利要求1或2所述的加热装置，其特征在于，还包括：一或多个温度感应单元，容置于该一或多个容置槽以感测该导流器的温度。
4.如权利要求1或2所述的加热装置，其特征在于：该等流道的长度总合大于该外壳的一长边。
5.如权利要求1或2所述的加热装置，其特征在于：该等流道具有多个转折。
6.如权利要求1或2所述的加热装置，其特征在于：该等流道彼此平行。
7.如权利要求1或2所述的加热装置，其特征在于：该导流器具有复数层的所述流道。
8.如权利要求1或2所述的加热装置，其特征在于：该一或多个容置槽于该导流器中延伸且独立于该等流道。
9.如权利要求1或2所述的加热装置，其特征在于：多个容置槽延伸于该导流器中并分别为在对应流道的一侧。
10.如权利要求1或2所述的加热装置，其特征在于：一个容置槽延伸于该导流器中并被该等流道包围。
11.如权利要求1或2所述的加热装置，其特征在于：该壳体的入口和该壳体的出口为不同方向。
12.如权利要求1或2所述的加热装置，其特征在于：还包含一或多个冷却单元，容置于该导流器的一或多个容置槽。
13.如权利要求1或2所述的加热装置，其特征在于：该外壳的入口连通耦接至一化学源，而该外壳的出口连通耦接至一半导体处理站的一气体供应组件。
14.多站半导体处理腔，其特征在于，包含：
如权利要求1或2项所述的加热装置；
多个处理腔；及
一分配器，连接于所述加热装置与多个处理腔之间，以将加热的化学品分配置各处理腔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
