[发明专利]蚀刻剂组合物以及使用蚀刻剂组合物制造金属图案和阵列衬底的方法

说明书

本申请涉及蚀刻剂组合物，其包含过硫酸盐、四氮环化合物、二氯化合物、氟化合物和水，并且所述蚀刻剂组合物具有约1:0.5至约1:4的所述四氮环化合物与所述二氯化合物的重量比。所述蚀刻剂组合物可以蚀刻钛/铜的多层并且可以用于制造具有优异的蚀刻图案的性质的金属图案和阵列衬底。

相关申请的交叉引用

本专利要求于2018年12月4日提交的第10-2018-0154248号韩国专利申请的优先权，所述申请的全部内容通过援引并入本文。

技术领域

本公开内容在本文中涉及蚀刻剂组合物以及用于使用所述蚀刻剂组合物制造金属图案和阵列衬底的方法，并且更具体地，涉及提供用于蚀刻多个金属层的蚀刻剂组合物以及用于使用所述蚀刻剂组合物制造金属图案和阵列衬底的方法。

背景技术

根据平板显示工业中对实现高分辨率、大尺寸和3D显示的要求，对于较快的响应时间的需求正在上升。特别地，为了实现高分辨率，需要减小显示装置的电路板中使用的线的金属图案的宽度，并且在这种情况中，增加图案的高度以控制电阻值，并且因此，出现了堆叠的金属层的差的阶梯覆盖的缺陷。

同时，使用具有优异导电性的环境友好的铜作为金属图案材料，并且为了增加在使用铜的金属图案中的高分辨率情况下的粘合力，使用除了铜以外的其它金属层作为底层的情况正在增加。因此，需要蚀刻剂组合物，其可以保持用于图案化包括铜层的多层的适当的渐缩角度(taper angle)并且可以进行分批式蚀刻。

发明内容

本公开内容提供了在图案化包含铜的多层期间提供优异的渐缩性质的蚀刻剂组合物。

本公开内容还提供了用于制造具有优异的渐缩形状的多个金属图案的方法。此外，本公开内容还提供了用于制造阵列衬底的方法，通过所述方法，通过形成具有优异的渐缩形状的多个金属图案减少了诸如短路的排线缺陷。

本发明构思的实施方案提供了蚀刻剂组合物，所述蚀刻剂组合物包含过硫酸盐；四氮环化合物；二氯化合物；氟化合物；以及水，其中所述四氮环化合物与所述二氯化合物的重量比是约1:0.5至约1:4。

在实施方案中，所述蚀刻剂组合物可以进一步包含硫酸氢盐。

在实施方案中，所述蚀刻剂组合物可以进一步包含磺酸化合物。

在实施方案中，所述蚀刻剂组合物可以进一步包含抗氧化剂、酸度调节剂、磷酸盐和铜盐。

在实施方案中，所述蚀刻剂组合物可以进一步包含硫酸氢盐和磺酸化合物，并且可以包含基于所述蚀刻剂组合物的总重量的约0.1重量％至约25重量％的所述过硫酸盐；约0.5重量％至约1重量％的所述四氮环化合物；约0.5重量％至约2重量％的所述二氯化合物；约0.01重量％至约3重量％的所述氟化合物；约0.05重量％至约8重量％的所述硫酸氢盐；约0.1重量％至约10重量％的所述磺酸化合物；以及余量的所述水。

在实施方案中，所述蚀刻剂组合物可以包含基于所述蚀刻剂组合物的所述总重量的约0.001重量％至约3重量％的所述抗氧化剂；约0.1重量％至约0.9重量％的所述酸度调节剂；约0.1重量％至约5重量％的所述磷酸盐；以及约0.01重量％至约2重量％的所述铜盐。

在实施方案中，所述蚀刻剂组合物的酸度可以是约2.0至约6.0。

在实施方案中，所述过硫酸盐可以包括过硫酸钾(K₂S₂O₈)、过硫酸钠(Na₂S₂O₈)和过硫酸铵((NH₄)₂S₂O₈)中的至少一种。

在实施方案中，所述四氮环化合物可以包括氨基四唑、氨基四唑钾盐和甲基四唑中的至少一种。