[发明专利]数控可关断的且可自启动的低功耗电压监视电路有效
申请号: | 201911218851.2 | 申请日: | 2019-11-28 |
公开(公告)号: | CN111064176B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 谢桂辉;焦向开;徐浪;魏权;刘子扬 | 申请(专利权)人: | 中国地质大学(武汉) |
主分类号: | H02H11/00 | 分类号: | H02H11/00;H02H3/24;H02J7/34 |
代理公司: | 武汉知产时代知识产权代理有限公司 42238 | 代理人: | 易滨 |
地址: | 430000 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数控 可关断 启动 功耗 电压 监视 电路 | ||
1.一种数控可关断的且可自启动的低功耗电压监视电路,其特征在于,包括:
储能器件,储能器件的一端接地,另一端用于连接待监视电源;
第一P型MOS管(Q1),第一P型MOS管的S极连接储能器件的所述另一端,D极用于连接系统负载芯片的电源输入端,所述系统负载芯片具有高/低电平输出端;
第二P型MOS管(Q4),第二P型MOS管的D极连接储能器件的所述另一端,G极连接系统负载芯片的高/低电平输出端;
电压监视芯片,具有输入端子以及指示输出端子,电压监视芯片的输入端子连接第二P型MOS管的D极,指示输出端子用于电压监视芯片正常工作时,在所述输入端子输入的电压小于电压阈值Vth时,输出低电平,否则输出高电平,该高电平的电压等于输入端子上的输入电压,在第二P型MOS管导通时,该高电平即为储能器件的电压Vin;
上拉电阻,上拉电阻的一端连接储能器件的所述另一端,另一端连接第一P型MOS管的G极;
N型MOS管,N型MOS管的D极连接第一P型MOS管的G极,S极接地;
第一分压限流电阻(R2),串联在电压监视芯片的指示输出端子和N型MOS管的G极之间;
第二分压限流电阻(R3),串联在系统负载芯片的高/低电平输出端和N型MOS管的G极之间;
所述电压监视电路的工作原理为:
(1)第二P型MOS管的G极初始状态默认低电平,因此储能器件上的电压Vin满足:当0≤Vin<Vth_pmos2时,第二P型MOS管断开,当Vth_pmos2≤Vin<Vth时,第二P型MOS管导通,指示输出端子输出为低电平,此时N型MOS管断开,第一P型MOS管在上拉电阻作用下断开,因此所述电源输入端子的输入电压为0V,系统负载芯片没有供电,未能启动;其中,Vth_pmos2表示第二P型MOS管的开启阈值电压;
(2)当Vin≥Vth时,所述指示输出端子的输出变为高电平,此时N型MOS管的G极电压升至R2、R3以及依次为第一分压限流电阻的大小、第二分压限流电阻的大小以及所述指示输出端子输出的电压大小,且R2和R3被设置为满足:所述指示输出端子的输出变为高电平时,R3*Vin/(R2+R3)超过N型MOS管的最小导通电压;此时,N型MOS管导通,然后第一P型MOS管导通,系统负载芯片得以上电启动,上电启动后,系统负载芯片的高/低电平输出端立即输出高电平,从而关断第二P型MOS管,电压监视芯片掉电从而输出低电平;
(3)系统负载芯片上电启动后,系统负载芯片开始完成任务,待任务完成以后,系统负载芯片的所述高/低电平输出端输出低电平,从而关断N型MOS管,然后第一P型MOS管关断,实现自主控制关闭供电功能,至此一个启动循环结束;储能器件能量收集过程继续进行,启动下一个循环。
2.根据权利要求1所述的数控可关断的且可自启动的低功耗电压监视电路,其特征在于,所述储能器件包括电容、电池以及超级电容。
3.根据权利要求1所述的数控可关断的且可自启动的低功耗电压监视电路,其特征在于,R2=R3。
4.根据权利要求3所述的数控可关断的且可自启动的低功耗电压监视电路,其特征在于,R2=R3=10MΩ。
5.根据权利要求1所述的数控可关断的且可自启动的低功耗电压监视电路,其特征在于,系统负载芯片的电源输入端子通过电容接地,以进行电源滤波。
6.根据权利要求1所述的数控可关断的且可自启动的低功耗电压监视电路,其特征在于,所述电压监视芯片为TPS3831、TPS3839、R3114或R3116。
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