[发明专利]一种电源上电模块在审
| 申请号： | 201911219123.3 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN111106822A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 严慧婕;黄寅;蒋宇;沈灵;曾夕;何学红 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/00 | 分类号： | H03K19/00;H03K19/003;H03K19/0175;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;马盼 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电源 模块 | ||
1.一种电源上电模块，用于控制数字I/O的开闭状态，其特征在于，包括VDDC电源、VDDIO电源、下拉MOS管N1、第一传输MOS管P1、第二传输MOS管P2和延时单元；
所述下拉MOS管N1的栅极连接所述VDDC电源，所述下拉MOS管N1的源极接地，漏极连接A节点；所述第一传输MOS管P1和第二传输MOS管P2的源极同时连接VDDIO电源，漏极分别连接A节点和B节点，栅极分别连接B节点和A节点，所述A节点和B节点互为反向信号；所述B节点连接控制信号FP；
其中，所述VDDC电源的电压小于所述VDDIO电源的电压，当所述VDDIO电源上电，且所述VDDC电源未上电时，所述延时单元确保B节点的电压增加速率小于A节点的电压增加速率，使得A节点为高电平，B节点为低电平，进而控制信号FP为低电平，控制数字I/O关闭。
2.根据权利要求1所述的一种电源上电模块，其特征在于，所述延时单元包括第一电容，所述第一电容的一端接地，另一端连接B节点；当所述VDDIO电源上电，且所述VDDC电源未上电时，处于充电状态的第一电容确保B节点的电压增加速率小于A节点的电压增加速率。
3.根据权利要求2所述的一种电源上电模块，其特征在于，所述电源上电模块还包括反馈单元，所述反馈单元包括反馈MOS管N2，所述反馈MOS管N2的源极接地，漏极连接所述B节点，栅极连接A节点。
4.根据权利要求1所述的一种电源上电模块，其特征在于，所述延时单元包括第二电容，所述第二电容的一端连接所述第一传输MOS管P1的源极，另一端连接所述第一传输MOS管P1的漏极；当所述VDDIO电源上电，所述VDDC电源未上电时，处于充电状态的第二电容确保A节点的电压增加速率大于B节点的电压增加速率。
5.根据权利要求4所述的一种电源上电模块，其特征在于，所述电源上电模块还包括反馈单元，所述反馈单元包括反馈MOS管N2，所述反馈MOS管N2的源极接地，漏极连接所述B节点，栅极连接A节点。
6.根据权利要求1所述的一种电源上电模块，其特征在于，所述延时单元包括第一电容和第二电容，所述第一电容的一端接地，另一端连接B节点；所述第二电容的一端连接所述第一传输MOS管P1的源极，另一端连接所述第一传输MOS管P1的漏极；当所述VDDIO电源上电，所述VDDC电源未上电时，处于充电状态的第一电容和/或第二电容确保B节点的电压增加速率小于A节点的电压增加速率。
7.根据权利要求6所述的一种电源上电模块，其特征在于，所述电源上电模块还包括反馈单元，所述反馈单元包括反馈MOS管N2，所述反馈MOS管N2的源极接地，漏极连接所述B节点，栅极连接A节点。
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