[发明专利]用于防止雪崩击穿的两级开关驱动器在审
申请号: | 201911219381.1 | 申请日: | 2019-12-03 |
公开(公告)号: | CN111277119A | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | C·A·布拉兹;R·刚里诺 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H02M7/217;H02M3/335 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 闫昊 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 防止 雪崩 击穿 两级 开关 驱动器 | ||
1.一种开关驱动器,用于控制开关模式功率转换器中的功率开关,以防跨所述功率转换器的同步整流SR开关的过度电压水平,所述开关驱动器包括:
下拉驱动器开关,用于灌入来自所述功率开关的控制端子的电流;
第一上拉驱动器开关,用于使电流流出至所述控制端子,所述第一上拉驱动器开关具有第一接通状态电阻;
第二上拉驱动器开关,用于使电流流出至所述控制端子,所述第二上拉驱动器开关具有基本上高于所述第一接通状态电阻的第二接通状态电阻;
模式指示输入;
开关控制输入,控制所述下拉驱动器开关、所述第一上拉驱动器开关、以及所述第二上拉驱动器开关;以及
高侧控制电路,被配置为响应于在所述模式指示输入处的突发模式指示禁用所述第一上拉驱动器开关。
2.根据权利要求1所述的开关驱动器,其中所述下拉驱动器开关是n通道金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET,并且所述第一上拉驱动器开关和所述第二上拉驱动器开关是p通道MOSFET。
3.根据权利要求2所述的开关驱动器,其中所述高侧控制电路包括:
高侧前置驱动器,用于控制所述第一上拉驱动器开关;
兼或门,具有所述模式指示和所述开关控制作为所述兼或门的输入,并且具有耦合至所述高侧前置驱动器的输入的输出。
4.根据权利要求1所述的开关驱动器,其中所述第二上拉驱动器开关的尺寸被设置以流出一电流水平,该电流水平限制跨所述SR开关的所述电压水平低于所述SR开关的电压上限,所述电压上限对应于所述SR开关的雪崩击穿电压。
5.根据权利要求1所述的开关驱动器,其中所述第一上拉驱动器开关在接通时流出的电流水平至少是所述第二上拉驱动器开关接通时由所述第二上拉驱动器开关流出的电流水平的100倍。
6.根据权利要求1所述的开关驱动器,其中在所述第一上拉驱动器开关和所述第二上拉驱动器开关之间的尺寸比可通过可配置数字代码编程。
7.根据权利要求1所述的开关驱动器,其中在所述第一上拉驱动器开关和所述第二上拉驱动器开关之间的尺寸比在所述上拉驱动器开关的制造期间通过金属选择被设置。
8.一种用于控制在开关模式功率转换器中的功率开关的方法,以防跨所述功率转换器的同步整流SR开关的过度电压水平,所述功率转换器包括开关驱动器,所述开关驱动器包括第一上拉驱动器开关和第二上拉驱动器开关,其中所述第二上拉驱动器开关具有接通状态电阻,所述接通状态电阻基本上高于所述第一上拉驱动器开关的接通状态电阻,所述方法包括:
检测所述功率转换器的负载正在消耗低功率水平;
响应于所述检测,进入操作的突发模式并且禁用所述第一上拉驱动器开关。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述SR开关具有相关联的雪崩击穿电压,所述雪崩击穿电压对应于跨所述SR开关的第一端子和第二端子的电压极限,并且其中所述第二上拉驱动器开关的所述接通状态电阻被配置为支持经过所述第二上拉驱动器开关的电流水平,以便所述功率开关接通所依据的比率确保跨所述SR开关的所述第一端子和所述第二端子的电压保持在所述SR开关的所述雪崩击穿电压之下。
10.根据权利要求8所述的方法,还包括:
响应于检测到所述功率转换器的所述负载正在消耗比所述低功率水平多的功率,退出操作的所述突发模式并且启动所述第一上拉驱动器开关。
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