[发明专利]被加工物的加工方法、器件芯片的制造方法

说明书

提供被加工物的加工方法、器件芯片的制造方法，形成抗弯强度高的芯片。将被加工物沿着分割预定线分割而形成芯片的被加工物的加工方法具有如下步骤：框架单元准备步骤，准备如下框架单元：该框架单元具有带、环状的框架以及被加工物，带粘贴在被加工物的背面上，具有延伸性，带的外周部粘贴于环状的框架；保护膜形成步骤，对被加工物的正面涂布液态树脂而形成保护膜；切断步骤，沿着分割预定线对被加工物照射激光束从而沿着分割预定线将被加工物切断；间隔扩展步骤，将粘贴于被加工物的带向径向外侧扩展，将切断被加工物而形成的各芯片间的间隔扩展；和蚀刻步骤，通过湿蚀刻将由于切断步骤中的激光束的照射而形成于各芯片的切断面的变质区域去除。

技术领域

本发明涉及对由半导体制成的晶片等被加工物进行加工的加工方法以及对晶片进行加工而制造器件芯片的器件芯片的制造方法。

背景技术

在由半导体制成的圆板状的晶片的正面上设定多条交叉的分割预定线，在由分割预定线划分的各区域内形成有器件，当沿着分割预定线对该晶片进行分割时，能够形成器件芯片。在将在正面上形成有多个器件的由Si、GaAs等半导体材料形成的晶片按照每个器件进行分割时，例如使用具有圆环状的切削刀具的切削装置(参照专利文献1)。在切削装置中，旋转的切削刀具与被加工物接触，从而对被加工物进行切削。

晶片也可以通过其他方法进行分割。例如当对晶片照射对于晶片具有吸收性的波长(晶片能够吸收的波长)的激光束而通过烧蚀加工沿着分割预定线在晶片上形成分割槽时，能够将晶片分割(参照专利文献2)。

但是，近年来，在光通信、光记录等技术领域中，对被称为垂直共振器腔面发光激光器(VCSEL；Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser diode)的表面发光型半导体激光器的关心不断提高(参照专利文献3)。在制造搭载VCSEL元件作为器件的芯片的情况下，在晶片的背面侧形成作为电极等发挥功能的金属膜，然后将晶片分割。

专利文献1：日本特开2001-85365号公报

专利文献2：日本特开2013-239591号公报

专利文献3：日本特开2007-123313号公报

在通过切削装置对在背面侧形成有金属膜的晶片等被加工物进行切削的情况下，旋转的切削刀具切入至该金属膜。当利用切削刀具对金属膜进行切削时，金属膜被切削刀具的旋转拖拽，从金属膜的切断面形成源自该金属膜的被称为飞边的突起，或者在所形成的芯片的端部产生被称为崩边的缺损。当形成飞边或崩边时，会使芯片的品质降低。

另外，会产生如下的问题：源自该金属膜的切削屑附着于切削刀具而产生堵塞，使切削刀具的寿命降低。另外，在对GaAs晶片等比较脆的晶片进行切削的情况下，为了防止切削所致的晶片的破损，必须利用缓和的加工条件对该晶片进行加工，因此在该晶片的切削上花费时间。

另一方面，在通过基于激光束的烧蚀加工将晶片分割的情况下，由于烧蚀加工所带来的热影响而在芯片的切断面上形成变质区域。当形成有变质区域时，芯片的抗弯强度降低。

发明内容

本发明是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供被加工物的加工方法和器件芯片的制造方法，能够有效地形成抗弯强度高的芯片。