[发明专利]用于在半导体装置上制造柱结构的方法及系统

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置具有具第一表面、与所述第一表面相对的第二表面的导电衬底及覆盖所述第一表面的一部分的钝化材料，所述方法包括：

将导电材料的晶种层施加到所述导电衬底的所述第一表面以及所述钝化材料，所述晶种层具有与所述导电衬底相对的第一面；

形成多个柱，其中形成所述多个柱包括-

将第一材料沉积到所述晶种层的一部分上，及

将第二材料沉积到所述第一材料上；以及

蚀刻所述晶种层以在所述多个柱之间从所述钝化材料去除所述导电材料且底切所述导电衬底与所述柱中的至少一者的所述第一材料之间的所述晶种层；

其中在平行于所述导电衬底的所述第一表面测量时所述第一材料与所述导电衬底之间与所述钝化材料接触的所述晶种层的横截面积小于在平行于所述导电衬底的所述第一表面测量时所述第二材料的横截面积。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述晶种层上形成掩模结构，所述掩模结构具有多个贯穿孔，其中在所述掩模结构的所述多个贯穿孔中形成所述多个柱。

3.根据权利要求2所述的方法，其包括在蚀刻所述晶种层之前从所述晶种层去除所述掩模结构。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述多个贯穿孔包括在平行于所述导电衬底的所述第一表面测量时具有第一宽度的第一贯穿孔及具有大于所述第一宽度的第二宽度的第二贯穿孔。

5.根据权利要求4所述的方法，其中将所述第一贯穿孔定位于所述钝化材料的一部分上方，且将所述第二贯穿孔定位于所述导电衬底的未被所述钝化材料覆盖的一部分上方。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在平行于所述导电衬底的所述第一表面测量时所述第一材料与所述导电衬底之间与所述钝化材料接触的所述晶种层的所述横截面积小于或等于在平行于所述导电衬底的所述第一表面测量时所述第二材料的所述横截面积的1/2。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在平行于所述导电衬底的所述第一表面测量时所述第一材料与所述导电衬底之间与所述钝化材料接触的所述晶种层的所述横截面积小于或等于在平行于所述导电衬底的所述第一表面测量时所述第二材料的所述横截面积的1/4。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶种层包括铜。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一材料包括镍。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二材料包括锡-银。

11.一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置具有导电衬底，所述导电衬底具有部分地由钝化材料覆盖的第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述方法包括：

以导电材料层覆盖所述第一表面的至少一部分及所述钝化材料，所述导电材料层具有与所述导电衬底相对的第一侧；

将第一材料沉积到所述导电材料层上，借此形成第一柱及第二柱的基底；

将第二材料沉积到所述第一材料上；

从所述钝化材料及所述导电衬底的所述第一表面的在所述第一及第二柱之外的部分去除所述导电材料层；及

底切所述第一柱的第一材料层与所述导电衬底之间的所述导电材料层；

其中将所述第一柱定位于所述导电衬底的被所述钝化材料覆盖的一部分上方。

12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括底切所述第二柱的所述第一材料层与所述导电衬底之间的所述导电材料层，其中将所述第二柱定位于所述导电衬底的未被所述钝化材料覆盖的一部分上方。

13.根据权利要求12所述的方法，其中将所述第一柱配置为响应于第一剪切力而从所述钝化材料断裂开，其中所述第一剪切力小于使所述第二柱从所述导电衬底断裂开所需的剪切力。