[发明专利]包括桥式晶片的半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，所述半导体封装包括：

第一半导体晶片，所述第一半导体晶片设置在第一重分布线结构上；

第一桥式晶片，所述第一桥式晶片设置在所述第一重分布线结构上以提供所述第一半导体晶片和所述第一桥式晶片之间的水平差，所述第一桥式晶片的高度小于所述第一半导体晶片的高度；

第二重分布线结构，所述第二重分布线结构层叠在所述第一半导体晶片上，使得所述第二重分布线结构的底表面与所述第一半导体晶片的顶表面接触，其中，所述第二重分布线结构被设置成具有突出部，当从平面图观察时，所述突出部从所述第一半导体晶片的侧表面横向突出；

第二半导体晶片，所述第二半导体晶片设置在所述第二重分布线结构上；以及

垂直连接器，所述垂直连接器设置在所述第一桥式晶片与所述第二重分布线结构的所述突出部之间以支撑所述突出部，

其中，所述第一桥式晶片包括第一通孔。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一桥式晶片包括：

第一主体，所述第一通孔垂直穿过所述第一主体；以及

第一柱凸块，所述第一柱凸块设置在所述第一主体上以从所述第一主体向上突出，并且所述第一柱凸块电连接到所述第一通孔；

其中，所述垂直连接器将所述第一柱凸块电连接到所述第二重分布线结构的所述突出部。

3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，由于从所述第一重分布线结构到所述第一柱凸块的顶表面的水平的第一高度小于从所述第一重分布线结构到所述第一半导体晶片的顶表面的水平的第二高度，所以存在所述水平差。

4.根据权利要求3所述的半导体封装，其中，所述垂直连接器具有与所述第一高度和所述第二高度之差相对应的第三高度。

5.根据权利要求4所述的半导体封装，其中，所述垂直连接器包括焊球。

6.根据权利要求2所述的半导体封装，所述半导体封装还包括围绕所述第一桥式晶片和所述第一半导体晶片的第一模制层，

其中，所述第一模制层围绕所述第一柱凸块并且覆盖所述第一桥式晶片的所述第一主体。

7.根据权利要求6所述的半导体封装，其中，所述第一模制层被设置成露出所述第一半导体晶片的侧表面的上部和所述第一半导体晶片的顶表面。

8.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述第一柱凸块具有大于所述第一通孔的第一直径的第二直径。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一重分布线结构包括：

重分布线图案，所述重分布线图案将所述第一半导体晶片电连接到所述第一通孔；以及

介电层，所述介电层隔离所述重分布线图案。

10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述垂直连接器被设置为使得所述第一半导体晶片的侧表面面向所述垂直连接器的侧表面。

11.根据权利要求1所述的半导体封装，所述半导体封装还包括有机材料层，所述有机材料层设置在所述第一半导体晶片的顶表面与所述第二重分布线结构的底表面之间。

12.根据权利要求1所述的半导体封装，所述半导体封装还包括：

第二桥式晶片，所述第二桥式晶片设置在所述第二重分布线结构上，提供与所述第二半导体晶片之间的水平差，并且所述第二桥式晶片的高度小于所述第二半导体晶片的高度，其中，所述第二桥式晶片包括第二通孔和第二柱凸块；以及

第二模制层，所述第二模制层围绕所述第二桥式晶片和所述第二半导体晶片以露出所述第二柱凸块的顶表面。