[发明专利]一种双向拉伸聚酯薄膜的制备方法和应用有效
申请号: | 201911219896.1 | 申请日: | 2019-12-03 |
公开(公告)号: | CN111040211B | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 李震宇 | 申请(专利权)人: | 中山市泓溢薄膜科技有限公司 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08L67/02;C08G63/695;C08G63/78;C08G63/83;C08G63/86 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 赵琴娜 |
地址: | 528400 广东省中山*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双向 拉伸 聚酯 薄膜 制备 方法 应用 | ||
本发明公开了一种双向拉伸聚酯薄膜的制备方法和应用,该方法包括:将改性聚酯切片在120℃以下干燥,然后在150~170℃预热0.5~1h,经熔融挤出后,依次经纵向拉伸和横向拉伸,制成双向拉伸聚酯薄膜;所述改性聚酯切片的制备工艺如下:将POSS‑八羟基丙基二甲基硅基分散在乙二醇中,超声分散,然后与对苯二甲酸、联苯二甲酸、1,2‑丙二醇、醋酸锌、乙二醇锑混合,控制醇酸摩尔比不低于1.5:1,加热至230~240℃,至出水量达到理论值的95%以上,第一次抽真空,升温至260~265℃,恒温恒压反应1~2h,第二次抽真空,使真空度增加,并在265~275℃下恒温恒压反应0.5~1h,降压,出料,冷却,切粒,制成改性聚酯切片。所制备的薄膜具有优异的光学性能和较好的力学性能,可应用于光学材料和包装材料。
技术领域
本发明涉及聚酯薄膜技术领域,尤其是涉及一种双向拉伸聚酯薄膜的制备方法和应用。
背景技术
双向拉伸聚酯薄膜通常以聚酯切片为原料,经过干燥、挤出、纵向拉伸、横向拉伸制成,具有强度高、热稳定性好、耐酸碱、气密性好、光学性能好等优点。随着液晶显示行业及太阳能产业的快速发展,市场对光学级聚酯薄膜的需求越来越大,性能要求也越来越高。现有聚酯薄膜虽然具有良好的透光率,但是还存在发雾问题,不能满足高端领域的需求。
通过在原料中添加成核剂可以在一定程度上缓解上述问题,但是可能存在成核剂的分散性、稳定性或相容性问题,难以全面兼顾雾度、力学性能和透光率。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,第一方面,提出一种双向拉伸聚酯薄膜的制备方法,包括步骤:
将改性聚酯切片在120℃以下干燥,然后在150~170℃预热0.5~1h,经熔融挤出后,依次经纵向拉伸和横向拉伸,制成双向拉伸聚酯薄膜;
所述改性聚酯切片的制备工艺如下:
将POSS-八羟基丙基二甲基硅基分散在乙二醇中,超声分散,然后与对苯二甲酸、联苯二甲酸、1,2-丙二醇、醋酸锌、乙二醇锑混合,控制醇酸摩尔比不低于1.5:1,加热至230~240℃,至出水量达到理论值的95%以上,第一次抽真空,升温至260~265℃,恒温恒压反应1~2h,第二次抽真空,使真空度增加,并在265~275℃下恒温恒压反应0.5~1h,降压,出料,冷却,切粒,制成改性聚酯切片。
根据本发明实施例的双向拉伸聚丙烯高阻隔性薄膜的制备方法,至少具有如下有益效果:
用对苯二甲酸、联苯二甲酸两种二酸与乙二醇、1,2-丙二醇两种二醇共聚,降低分子链的规整度,同时加入POSS-八羟基丙基二甲基硅基原位聚合,降低结晶度,且起到异相成核作用,在制备双向拉伸聚酯薄膜时,先在一定温度下预热,诱导形成晶核,利于双向拉伸过程中微小晶粒的形成,提高薄膜的力学性能和光学性能。
根据本发明的一些实施例,所述纵向拉伸倍率350~450%,所述横向拉伸倍率350~450%。
根据本发明的一些实施例,所述纵向拉伸分两段实施,第一段纵向拉伸倍率低于第二段纵向拉伸倍率,优选为不低于所述第二段纵向拉伸倍率的50%。
根据本发明的一些实施例,所述横向拉伸分两段实施,第一段横向拉伸倍率低于第二段横向拉伸倍率,优选为不低于第二段横向拉伸倍率的50%。
第二方面,还提供所述制备方法制得的双向拉伸聚酯薄膜在光学材料或包装材料的应用。
第三方面,提供一种光学材料,其使用所述制备方法制得的双向拉伸聚酯薄膜。
第四方面,提供一种包装材料,其使用所述制备方法制得的双向拉伸聚酯薄膜。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山市泓溢薄膜科技有限公司,未经中山市泓溢薄膜科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911219896.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。