[发明专利]用于目标刷新操作的时序交错的设备和方法

说明书

本公开的实施例涉及用于目标刷新操作的时序交错的设备和方法。存储器管芯可能需要周期性地执行刷新操作，所述刷新操作可以是自动刷新操作或目标刷新操作。目标刷新操作可能比自动刷新操作消耗更少的电流。当将管芯聚集成一组(例如，存储器堆栈、存储器模块)时，可以使目标刷新操作的时序在不同管芯之间交错，以有助于减少消耗的峰值电流。目标刷新操作可以交错，使得当最大数量的管芯执行刷新操作时，所述管芯中的至少一个执行目标刷新操作而不是自动刷新操作。

技术领域

本公开涉及用于目标刷新操作的设备和方法，特别涉及用于目标刷新操作的时序交错的设备和方法。

背景技术

信息可以作为物理信号(例如，电容性元件上的电荷)存储在存储器的各个存储器单元上。所述存储器可以是易失性存储器，并且所述物理信号可以随着时间而衰减(这可能破坏存储在存储器单元中的信息或使其降级)。可能需要周期性地刷新存储器单元中的信息，例如通过重写信息以将物理信号恢复到初始值。

随着存储器组件尺寸的减小，存储器单元的密度大大增大。可以执行自动刷新操作；在自动刷新操作中，一系列存储器单元被周期性地刷新。对特定存储器单元或存储器单元组的重复访问(通常被称为“行锤”)可能会使附近的存储器单元中数据降级的速率增加。除了自动刷新操作之外，可能期望的是在目标刷新操作中标识并且刷新受行锤影响的存储器单元。所述目标刷新操作可以以在自动刷新操作之间穿插的时序进行。

发明内容

本申请的一个方面涉及一种设备，其包括：第一存储器管芯，其被配置成响应于刷新信号的第一激活执行目标刷新操作；和第二存储器管芯，所述第二存储器管芯被配置成响应于所述刷新信号的第二激活而不是所述刷新信号的所述第一激活执行目标刷新操作。

本申请的另一方面涉及一种设备，其包括：多个存储器管芯，其中响应于刷新命令，所述多个存储器管芯中的每个存储器管芯被配置成执行一或多个刷新操作，其中所述刷新操作中的每个刷新操作可以是第一类型的刷新操作或第二类型的刷新操作，并且其中当所述多个存储器管芯中的最大数量的存储器管芯同时执行刷新操作时，所述多个存储器管芯中的至少一个执行所述第一类型的刷新操作并且所述多个存储器管芯中的至少另一个执行所述第二类型的刷新操作。

本申请的又一方面涉及一种设备，其包括：接口，其被配置成提供刷新信号；第一存储器管芯，其被配置成响应于所述刷新信号提供第一刷新泵信号的激活，其中所述第一存储器管芯进一步被配置成在所述第一刷新泵信号的第一数量的激活之后执行目标刷新操作；第二存储器管芯，其被配置成响应于所述刷新信号提供第二刷新泵信号的激活，其中所述第二存储器管芯进一步被配置成在所述第二刷新泵信号的第二数量的激活之后执行目标刷新操作，其中所述第二数量不同于所述第一数量。

附图说明

图1是根据本公开的一个实施例的半导体装置的框图。

图2是根据本公开的一个实施例的存储器封装的主/从配置的框图。

图3是根据本公开的一个实施例的存储器封装的框图。

图4是根据本公开的一个实施例的存储器模块的框图。

图5是根据本公开的一个实施例的刷新地址控制电路的框图。

图6是根据本公开的一个实施例的行解码器的框图。

图7是根据本公开的一个实施例的刷新操作的时序图。

图8是根据本公开的一个实施例的刷新泵之间的交错刷新时序的时序图。

图9是根据本公开的一个实施例的交错刷新操作的时序图。

具体实施方式