[发明专利]一种电场调控的双通道太赫兹滤波器及制作方法

权利要求书

1.一种电场调控的双通道太赫兹滤波器，包括5段不同结构的波导，其特征在于：第一周期起伏波导A₁，第二周期起伏波导A₂，第三周期起伏波导A₃，第一圆柱形直波导B₁，第二圆柱形直波导B₂，五个波导的连接方式为：A₁粗端口—B₁—A₂细端口—A₂粗端口—B₂—A₃细端口；周期起伏波导A₁、A₂和A₃的半径起伏系数不同，即它们的粗半径和细半径不相同，第一圆柱形直波导B₁的半径与第一周期起伏波导A₁的粗端口半径相同，第二圆柱形直波导B₂与第二周期起伏波导A₂的粗端口半径相同，第一圆柱形直波导B₁和第二圆柱形直波导B₂的长度相同。

2.根据权利要求1所述的一种电场调控的双通道太赫兹滤波器，其特征在于：所述电场调控的双通道太赫兹滤波器的波导管壁由三层物质组成，包括聚四氟乙烯PTFE基底内部的弧形带有微孔的双层石墨烯电极层，聚四氟乙烯PTFE基底层，和在聚四氟乙烯PTFE基底外表面涂覆的金层或银层或铝层作为波导外管壁，波导管内填充有E7型液晶。

3.一种权利要求1或2所述的电场调控的双通道太赫兹滤波器的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)使用MEMS深度光刻工艺在高密度聚乙烯上加工出波导结构以作为基底；

(2)利用CVD方法制作的带有微孔的双层石墨烯转移到高密度聚乙烯基底上；

(3)在石墨烯上涂一层聚四氟乙烯；

(4)利用MEMS深度光刻工艺在聚四氟乙烯上加工出波导结构；

(5)利用X-LIGA工艺在上述结构的聚四氟乙烯基底的外表面涂覆金层作为波导管壁；

(6)加热的方法除去高密度聚乙烯；

(7)将波导芯内填充上E7型液晶，再利用聚四氟乙烯将波导两个端口密封住。

4.根据权利要求3所述的种电场调控的双通道太赫兹滤波器的制作方法，其特征是：所述步骤（3）中的聚四氟乙烯，其厚度不低于1μm。

5.根据权利要求3所述的种电场调控的双通道太赫兹滤波器的制作方法，其特征是：所述步骤（4）中的波导结构，其厚度为1μm。

6.根据权利要求3所述的种电场调控的双通道太赫兹滤波器的制作方法，其特征是：所述步骤（5）中的金层波导管壁，其厚度为1μm。