[发明专利]一种提高储能密度的绝缘介质的制备方法

权利要求书

1.一种提高储能密度的绝缘介质的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)1,4-苯二异硫氰酸酯完全溶解于极性溶剂中，然后加入有机二胺，在氮气环境、室温条件下反应3-6小时，得到端胺基聚硫脲前驱体；其中，有机二胺为1,3-环己二胺；

2)向步骤1)制备的端胺基聚硫脲前驱体中加入4,4'-二氨基二苯醚和均苯四甲酸二酐，在氮气环境、室温条件下反应12-18小时，得到聚硫脲和聚酰胺酸的无规共聚物溶液；

3)采用流延法，将聚硫脲和聚酰胺酸的无规共聚物溶液铺在铜板上，采用梯度升温，酰胺化成膜，得到聚硫脲和聚酰亚胺无规共聚物。

2.根据权利要求1所述的一种提高储能密度的绝缘介质的制备方法，其特征在于，步骤1)中，1,4-苯二异硫氰酸酯与极性溶剂的比为0.96mmol：1-4mL。

3.根据权利要求1所述的一种提高储能密度的绝缘介质的制备方法，其特征在于，均苯四甲酸二酐与1,4-苯二异硫氰酸酯的总的物质的量与1,3-环己二胺和4,4'-二氨基二苯醚的总的物质的量相同。

4.根据权利要求1所述的一种提高储能密度的绝缘介质的制备方法，其特征在于，步骤1)中，1,4-苯二异硫氰酸酯与1,3-环己二胺的物质的量的比为0.96：1；

步骤2)中，4,4'-二氨基二苯醚与均苯四甲酸二酐的物质的量的比为0.96：1。

5.根据权利要求1所述的一种提高储能密度的绝缘介质的制备方法，其特征在于，步骤1)中，极性溶剂为N,N-二甲基乙酰胺或N,N-二甲基甲酰胺。

6.根据权利要求1所述的一种提高储能密度的绝缘介质的制备方法，其特征在于，步骤3)中，梯度升温具体过程为，在70℃下保温3小时，然后在100℃下保温1小时，在120℃下保温1小时，最后在150℃下保温3小时。