[发明专利]一种基于掺镁氧化镓单晶的X射线和伽玛射线探测器有效
| 申请号： | 201911221830.6 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN111077560B | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 刘波;唐慧丽;徐军;陈佳文;朱智超;何诺天;张浩 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 镓单晶 射线 探测器 | ||
1.一种基于掺镁氧化镓单晶的X射线和伽玛射线探测器，其特征在于，该探测器包括：
掺镁氧化镓双面抛光晶片（2），所述掺镁氧化镓双面抛光晶片（2）采用以下方法制备得到：将按照所需掺杂比例的氧化镓和氧化镁原料经过球磨均匀混合后，采用熔体法生长，最后经退火处理后经过切割、定向、双面抛光得到掺镁氧化镓双面抛光晶片（2）；所述掺镁氧化镓双面抛光晶片（2）中镁的掺杂浓度为100-500mol ppm；所述掺镁氧化镓双面抛光晶片（2）的电阻率大于1.0× 1010 Ω·cm；所述退火处理是在1500-1600℃的氧气氛或空气气氛退火48-72小时；
设置在所述掺镁氧化镓双面抛光晶片（2）一侧表面的Au电极（1），
设置在所述掺镁氧化镓双面抛光晶片（2）另一侧表面的Au复合电极，
所述Au电极（1）与所述Au复合电极经外接电路（5）连通。
2.根据权利要求1所述的一种基于掺镁氧化镓单晶的X射线和伽玛射线探测器，其特征在于，所述掺镁氧化镓双面抛光晶片（2）的厚度D为：D=1/μ，μ是吸收系数。
3.根据权利要求1所述的一种基于掺镁氧化镓单晶的X射线和伽玛射线探测器，其特征在于，所述熔体法包括提拉法、下降法、浮区法或导模法。
4.根据权利要求1所述的一种基于掺镁氧化镓单晶的X射线和伽玛射线探测器，其特征在于，所述熔体法采用的生长气氛为Ar 和 CO2的混合气氛或N2和 CO2的混合气氛。
5.根据权利要求1所述的一种基于掺镁氧化镓单晶的X射线和伽玛射线探测器，其特征在于，所述Au复合电极选自Ti/Au电极、Al/Au电极或Ag/Au电极中的一种。
6.根据权利要求1所述的一种基于掺镁氧化镓单晶的X射线和伽玛射线探测器，其特征在于，所述Au电极（1）还能够采用Ni/Au电极、Pt/Au电极或Pd/Au电极进行替换。
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