[发明专利]一种缓冲近地电压的CMOS缓冲器在审
| 申请号： | 201911222324.9 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN110794911A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 白春风;王洋;汤雁婷;乔东海 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 32257 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 殷海霞 |
| 地址： | 215168 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 缓冲器 缓冲 超级源极跟随器 恒定电流源 环路增益 输入电压 偏置 运算跨导放大器 源极跟随器 闭环回路 近似相等 驱动能力 输出电压 直流电压 地电压 移位 栅源 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种缓冲近地电压的CMOS缓冲器，其特征在于，包括：运算跨导放大器OTA，以及由偏置恒定电流源IB1、偏置恒定电流源IB2、NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3组成的超级源极跟随器；
所述运算跨导放大器OTA的同向输入端与电压输入端连接，电压输出端、所述NMOS管N1的源极、所述NMOS管N2的漏极均与所述运算跨导放大器OTA的反向输入端连接，所述运算跨导放大器OTA的输出端与NMOS管N1的栅极连接，所述偏置恒定电流源IB1的输入端与电源连接，所述偏置恒定电流源IB1的输出端和所述NMOS管N3的栅极均与所述NMOS管N1的漏极连接，所述偏置恒定电流源IB2的输入端和NMOS管N3的源极均与所述NMOS管N2的栅极连接，所述NMOS管N2的源极接地，所述偏置恒定电流源IB2输出端接地，所述NMOS管N3的漏极与电源连接。
2.如权利要求1所述的缓冲近地电压的CMOS缓冲器，其特征在于，所述NMOS管N2偏置在亚阈值区，所述NMOS管N1和NMOS管N3工作在饱和区。
3.如权利要求1所述的缓冲近地电压的CMOS缓冲器，其特征在于，所述运算跨导放大器OTA采用PMOS源极耦合差分对作为输入级的折叠共源共栅结构。
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