[发明专利]一种铍铜瓶盖模具的表面涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种铍铜瓶盖模具的表面涂层的制备方法，其特征在于，包括：

采用磁控溅射依次在低温条件下在铍铜瓶盖模具基片上制备第一涂层、第二涂层；

采用PECVD技术在低温条件下在所述第二涂层上沉积第三涂层；

其中，所述第一涂层为Cr/CrN/CrCN/CrC涂层或者Ti/TiN/TiCN/TiC涂层；所述第二涂层为WCC涂层；所述第三涂层为DLC涂层。

2.根据权利要求1所述的铍铜瓶盖模具的表面涂层的制备方法，其特征在于：

所述低温条件为温度小于150℃。

3.根据权利要求1所述的铍铜瓶盖模具的表面涂层的制备方法，其特征在于：

采用磁控溅射制备所述第一涂层和所述第二涂层时的磁控溅射靶的功率为1～8KW，靶电流1～9A，真空室内压力为0.25～0.35Pa；

采用PECVD技术在低温调节下在所述第二涂层上沉积所述第三涂层的非平衡磁场线圈电流1～8A，偏压为-500～-900V，真空度为0.5～1.5Pa。

4.根据权利要求1所述的铍铜瓶盖模具的表面涂层的制备方法，其特征在于：

采用磁控溅射制备所述第一涂层时还需向真空室中通入氩气，氩气和氮气的混合气体，氩气、氮气以及碳氢气体的混合气体中的任一种气体；

采用磁控溅射制备所述第二涂层时，还需向真空室中通入氩气和碳氢气体。

5.根据权利要求1所述的铍铜瓶盖模具的表面涂层的制备方法，其特征在于：

所述第一涂层和所述第二涂层的制备厚度为0.5～1.0μm；所述第三涂层的沉积厚度为1.0～2.0μm。

6.根据权利要求5所述的铍铜瓶盖模具的表面涂层的制备方法，其特征在于：

所述铍铜瓶盖模具的表面涂层的总厚度大于3.0μm。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的铍铜瓶盖模具的表面涂层的制备方法，其特征在于：

所述铍铜瓶盖模具基片通过对铍铜瓶盖模具依次进行清洗和离子刻蚀清洗后得到。

8.根据权利要求7所述的铍铜瓶盖模具的表面涂层的制备方法，其特征在于：

所述清洗的步骤具体包括将所述铍铜瓶盖模具置于全自动清洗线清洗后装夹好，并置于真空室中，抽气至4×10^-3Pa以上的真空度，加热至100～150℃后进行离子刻蚀清洗。

9.根据权利要求7所述的铍铜瓶盖模具的表面涂层的制备方法，其特征在于：

所述离子刻蚀清洗的步骤具体包括对真空清洗后的所述铍铜瓶盖模具进行离子刻蚀清洗，离子刻蚀清洗的偏压为-100～-300V，刻蚀温度控制在150℃以内。

10.一种铍铜瓶盖模具的表面涂层，其特征在于，通过权利要求1至9中任一项所述的铍铜瓶盖模具的表面涂层的制备方法制备得到。