[发明专利]一种TFT阵列基板及其制备方法、显示面板

说明书

本发明涉及一种TFT阵列基板及其制备方法、显示面板，本发明通过对所述多晶硅层进行离子掺杂，其内掺杂的离子包括Ar+、B+、PHx+中的至少一种，且离子掺杂的浓度在所述基板至所述栅极层的堆叠方向上呈高斯分布，所述高斯分布的峰值可以设置于所述多晶硅层内，也可以设置于所述缓冲层和所述多晶硅层的接触面，还可以设置于所述缓冲层内，以此保持Vth稳定，增大S.S.或data range，改善画面均一性，提高显示面板温度场中的工作稳定性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种TFT阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

显示装置可以把计算机的数据变换成各种文字、数字、符号或直观的图像显示出来，并且可以利用键盘等输入工具把命令或数据输入计算机，借助系统的硬件和软件随时增添、删改、变换显示内容。显示装置根据所用之显示器件分为等离子、液晶、发光二极管和阴极射线管等类型。

有机发光显示装置(英文全称：Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)又称为有机电激光显示装置、有机发光半导体。OLED的工作原理是：当电力供应至适当电压时，正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合，在库伦力的作用下以一定几率复合形成处于激发态的激子(电子-空穴对)，而此激发态在通常的环境中是不稳定的，激发态的激子复合并将能量传递给发光材料，使其从基态能级跃迁为激发态，激发态能量通过辐射驰豫过程产生光子，释放出光能，产生光亮，依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三基色，构成基本色彩。

OLED具有电压需求低、省电效率高、反应快、重量轻、厚度薄，构造简单，成本低、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点，已经成为当今最重要的显示技术之一。

目前OLED在中小尺寸屏幕的应用中，主要采用LTPS(英文全称：Low TemperaturePoly-silicon，低温多晶硅)背板技术。相较于LTPS-LCD使用电压驱动，LTPS-AMOLED使用电流驱动。LTPS工艺中，需要使用激光退火工艺进行多晶化，由于激光退火工艺机台的工艺以及其他相关工艺的影响，能较好适用于电压驱动LTPS-LCD的LTPS技术，在适用于电流驱动的LTPS-AMOLED中，需要设计相应的补偿电路来弥补Vth等电性均一性。为了保持Vth(阈值)稳定，增大S.S.(亚阈值摆幅)或data range(工作电压)，改善画面均一性，提高显示立面板温度场中的工作稳定性，需要寻求一种新型的TFT阵列基板。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种TFT阵列基板及其制备方法、显示面板，其能够保持Vth稳定，增大S.S.或data range，改善画面均一性，提高显示面板温度场中的工作稳定性。

为了解决上述问题，本发明的一个实施方式提供了一种TFT阵列基板，其包括：基板、缓冲层、多晶硅层、源极、漏极、栅极绝缘层以及栅极层。其中所述缓冲层设置于所述基板上；所述多晶硅层设置于所述缓冲层上；所述源极设置于所述多晶硅层的一侧的所述缓冲层上；所述漏极设置于所述多晶硅层的另一侧的所述缓冲层上；所述栅极绝缘层设置于所述多晶硅层、源极、漏极上；所述栅极层设置于所述栅极绝缘层上；其中所述多晶硅层经过了离子掺杂处理，其内掺杂的离子包括Ar+、B+、PHx+中的至少一种，其中掺杂离子的浓度在所述基板至所述栅极层的堆叠方向上呈高斯分布，所述高斯分布的峰值位置设置在所述多晶硅层内。

进一步的，其中所述高斯分布的峰值位置还设置在所述缓冲层和所述多晶硅层的接触面。

进一步的，其中所述高斯分布的峰值位置还设置在所述缓冲层内。

进一步的，其中所述多晶硅层的厚度范围为300-600埃。