[发明专利]存储器系统和存储器系统的操作方法在审
申请号: | 201911225753.1 | 申请日: | 2019-12-04 |
公开(公告)号: | CN111312324A | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 慎钒揆;文贵妍;朴成奎 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42;G11C29/50;G11C29/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 系统 操作方法 | ||
一种存储器系统包括:存储器设备,包括存储器单元;以及控制器,其对存储器设备执行写入操作、读取操作和检查操作。在检查操作期间,控制器控制存储器设备以通过使用检查电平从存储器单元中的目标存储器单元读取检查数据,将检查数据与存储在目标存储器单元中的原始数据进行比较,以及基于比较结果确定目标存储器单元或检查数据的可靠性。
相关申请的交叉引用
要求于2018年12月11日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0159269号的优先权,其全部内容通过引用结合于此。
技术领域
本文描述的本发明构思涉及一种半导体设备,并且更具体地涉及执行用于放大错误以检查磨损程度的检查读取操作的存储器系统、以及存储器系统的操作方法。
背景技术
存储器系统可以包括各种半导体存储器设备。例如,半导体存储器设备可以包括在断电时丢失数据的易失性存储器设备,例如静态随机存取存储器(SRAM)或动态随机存取存储器(DRAM)。半导体存储器设备还可以包括在断电时保留数据的非易失性存储器设备,例如像闪存、相变存储器、铁电存储器、磁存储器或电阻存储器。
由于重复对半导体存储器设备的访问,所以半导体存储器设备和/或存储在半导体存储器设备中的数据可能劣化。随着劣化进行,存储在半导体存储器设备中的数据的完整性的可靠性降低。在传统的半导体存储器设备中,可以通过监视存储在半导体存储器设备中的数据的错误增加的趋势来监视劣化程度。
一些半导体存储器设备可能具有非常低的错误水平。对于这种具有非常低的错误水平的半导体存储器设备,可以采用纠错方案来校正非常少量的错误。然而,对于这种具有非常低的错误水平的半导体存储器设备,基于错误数量增加的趋势来监视半导体存储器设备或数据的劣化程度可能具有非常低的分辨率和非常低的准确度。
发明内容
本发明构思的实施例提供了以高分辨率和高准确度监视半导体存储器设备或存储在半导体存储器设备中的数据的磨损程度的存储器系统、以及存储器系统的操作方法。
本发明构思的实施例提供了一种存储器系统,该存储器系统包括:包括存储器单元的存储器设备;以及控制器,其对存储器设备执行写入操作、读取操作和检查操作。在检查操作期间,控制器控制存储器设备以通过使用检查电平从存储器单元中的目标存储器单元读取检查数据,将检查数据与存储在目标存储器单元中的原始数据进行比较以提供比较结果,以及基于比较结果确定目标存储器单元或检查数据的可靠性。
本发明构思的实施例还提供了一种存储器系统,该存储器系统包括:包括存储器单元和监视存储器单元的存储器设备;以及控制器,其对存储器设备执行写入操作、读取操作和检查操作。在检查操作期间,控制器控制存储器设备以通过使用检查电平从监视存储器单元读取检查数据,将检查数据与存储在监视存储器单元中的原始数据进行比较以提供比较结果,以及基于比较结果确定存储器单元或存储在存储器单元中的数据的可靠性。
本发明构思的实施例还提供了一种存储器系统的操作方法。该存储器系统包括具有存储器单元的存储器设备和控制存储器设备的控制器。该操作方法包括:在存储器设备处对存储器单元中的目标存储器单元执行检查操作;在控制器处基于检查操作的结果确定目标存储器单元的可靠性;以及当目标存储器单元的可靠性被确定为低时,在存储器设备处对包括目标存储器单元的存储器设备的选择的区域中的选择的存储器单元执行检查操作。检查操作包括:在存储器设备处通过使用检查电平从目标存储器单元或选择的存储器单元读取检查数据,以及在控制器处将检查数据与存储在目标存储器单元或选择的存储器单元中的原始数据进行比较。检查电平与在存储器设备的普通读取操作中使用的普通读取电平不同。
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