[发明专利]一种N型钝化接触太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种N型钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）选择N型晶体硅基体，对N型晶体硅基体进行双面抛光处理；

（2）在经过步骤（1）处理后的N型晶体硅基体的背面生长一层隧穿氧化层，并在隧穿氧化层上沉积一层本征非晶硅层；

（3）在经过步骤（2）处理后的N型晶体硅基体的本征非晶硅层上采用离子注入法进行掺杂处理，使本征非晶硅层变成掺杂非晶硅层，掺杂后进行湿化学清洗；

（4）在经过步骤（3）处理后的N型晶体硅基体的背面沉积一层氮化硅薄膜；

（5）对经过步骤（4）处理后的N型晶体硅基体的前表面进行制绒，制绒的同时将绕镀到前表面的非晶硅层去除；

（6）将经过步骤（5）处理后的N型晶体硅基体放入管式扩散炉进行硼扩散以形成发射极；同时，高温激活N型晶体硅基体背面的掺杂原子，使N型晶体硅的背面完成晶化，形成多晶硅层；

（7）去除经过步骤（6）处理后的N型晶体硅基体正面的硼硅玻璃层，以及绕扩到背面的硼硅玻璃层；

（8）在经过步骤（7）处理后的N型晶体硅基体的正面制备钝化减反膜；

（9）在经过步骤（8）处理后的N型晶体硅基体的背面印刷银浆并烘干以形成背面主栅和背面副栅，正面印刷银铝浆并烘干以形成正面主栅和正面副栅；

（10）将经过步骤（9）处理后的N型晶体硅基体进行烧结，完成N型钝化接触太阳能电池的制备。

2.根据权利要求1所述的一种N型钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，在步骤（1）中，所述N型晶体硅基体的电阻率为1~5 Ω•cm，厚度为80~200 μm。

3.根据权利要求1所述的一种N型钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，在步骤（2）中，所述隧穿氧化层的厚度为0.5~2 nm，其材质为二氧化硅；其中，所述隧穿氧化层的制备方法为硝酸氧化法、高温热氧化法、臭氧氧化法或原子层沉积法。

4.根据权利要求1或3所述的一种N型钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，在步骤（2）中，含有微晶相的本征非晶硅层的沉积方法为低压化学气相沉积法或物理气相沉积法；其中，所述本征非晶硅层的沉积温度为550~650 ℃，沉积厚度为50~400 nm。

5.根据权利要求1所述的一种N型钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，在步骤（4）中，所述氮化硅薄膜的厚度为90~300 nm，制备所述氮化硅薄膜的设备是板式PECVD。

6.根据权利要求1所述的一种N型钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，在步骤（6）中，硼扩散的硼源为三溴化硼，扩散温度为900~1050 ℃，扩散时间为90~240分钟，扩散后的方阻值为60~200 Ω/sqr。

7.根据权利要求1所述的一种N型钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，在步骤（8）中，所述N型晶体硅基体的正面钝化减反膜是SiO₂、SiN_X或Al₂O₃介质膜中的一种或任几种的组合。

8.根据权利要求1所述的一种N型钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，在步骤（9）中，所述背面副栅线宽为45~90 um且互相平行设置，所述正面副栅线宽为45~90 um且互相平行设置；其中，所述背面主栅和背面副栅均使用银浆印刷，所述正面主栅和正面副栅均使用掺铝银浆印刷。