[发明专利]腔室清洁方法及装置

说明书

本发明提供一种腔室清洁方法及装置，该腔室清洁方法包括：S1、当目标晶圆离开工艺腔室，判断所述工艺腔室是否满足预设的清洁条件，若是，则对所述工艺腔室进行待清洁标记并执行步骤S2，若否，则在下一片目标晶圆离开所述工艺腔室后，继续判断所述工艺腔室是否满足预设的清洁条件；S2、判断所述目标晶圆是否为对应目标批次中的最后一片晶圆，若是，则对所述工艺腔室进行清洁；若否，则待所述目标批次中的最后一片晶圆离开所述工艺腔室之后，对所述工艺腔室进行清洁。应用本发明既可实现工艺腔室的自动清洁、减少工作人员对腔室进行维护的工作负担，也能保证同批次晶圆的工艺结果一致性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体地，涉及一种腔室清洁方法及装置。

背景技术

在集成电路制备过程中，由于副产物会污染工艺腔室，使工艺腔室环境达不到工艺条件，为了保证机台的正常运转和月产量，通常会对工艺腔室进行定期或不定期的清理。

现有技术中，机台控制设备能够基于工艺腔室内的靶材消耗增量对工艺腔室进行自动清洁，通常是当某工艺腔室内的靶材消耗增量达到预设阈值时立即对腔室进行清理，在清洁过程中，晶圆不能进入该腔室执行工艺，只能等待清洁完成后再执行工艺。如此，若进行清理前，一个批次的晶圆尚未都进行工艺处理，则未执行工艺的晶圆需要等待清洁完成，这样将无法保证同一批次晶圆性能的一致性；且若清洁耗时较长，还可能会导致该批次晶圆排队超时，最终影响工艺结果，甚至导致晶圆报废等。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种腔室清洁方法及装置。

为实现本发明的目的，一方面提供一种腔室清洁方法，包括：

S1、当目标晶圆离开工艺腔室，判断所述工艺腔室是否满足预设的清洁条件，若是，则对所述工艺腔室进行待清洁标记并执行步骤S2，若否，则在下一片目标晶圆离开所述工艺腔室后，继续判断所述工艺腔室是否满足预设的清洁条件；

S2、判断所述目标晶圆是否为对应目标批次中的最后一片晶圆，若是，则对所述工艺腔室进行清洁；若否，则待所述目标批次中的最后一片晶圆离开所述工艺腔室之后，对所述工艺腔室进行清洁。

可选地，所述方法还包括：

S3、当待处理晶圆进入载料位时，判断所述待处理晶圆是否为本批次第一个进行工艺处理的晶圆，若是，则执行步骤S4；若否，则允许所述待处理晶圆离开所述载料位进入所述工艺腔室；

S4、判断所述工艺腔室是否具有清洁标记或者为不可用状态，若是，则不允许所述待处理晶圆离开所述载料位进入所述工艺腔室；若否，则允许所述待处理晶圆离开所述载料位进入所述工艺腔室。

可选地，所述判断所述目标晶圆是否为对应目标批次中的最后一片晶圆之后，还包括：

为所述满足预设的清洁条件的工艺腔室进行下线标记。

可选地，对所述工艺腔室开始进行清洁之后，还包括：

将所述待清洁标记更改为无需清洁标记，且将清洁完成的所述工艺腔室的下线标记更改为在线标记。

可选地，对所述工艺腔室进行清洁之后，还包括：

将所述工艺腔室的清洁条件重置为初始状态。

可选地，所述满足预设的清洁条件包括：

工艺腔室内靶材消耗增量大于等于预设阈值。

为实现本发明的目的，另一方面提供一种腔室清洁装置，包括第一判断模块和清洁模块，其中：