[发明专利]使用多步阶编程脉冲对存储器单元进行编程的设备及方法

权利要求书

1.一种存储器，其包括：

存储器单元阵列；及

控制器，其经配置以存取所述存储器单元阵列，

其中所述控制器进一步经配置以：

将特定多步阶编程脉冲施加到编程操作的所选择存取线，其中所述特定多步阶编程脉冲包含具有第一电压电平的第一步阶及具有低于所述第一电压电平的第二电压电平的第二步阶，且其中在所述编程操作期间，所述所选择存取线连接到所述存储器单元阵列中的经选择以用于编程的多个存储器单元；及

将下一后续多步阶编程脉冲施加到所述所选择存取线，其中所述下一后续多步阶编程脉冲包含具有第三电压电平的第一步阶及具有低于所述第三电压电平且高于所述第一电压电平的第四电压电平的第二步阶。

2.根据权利要求1所述的存储器，其中所述控制器进一步经配置以：

针对经选择以用于编程的所述多个存储器单元的第一存储器单元子集，在施加所述特定多步阶编程脉冲的所述第一步阶的同时启用所述第一存储器单元子集来进行编程；

针对经选择以用于编程的所述多个存储器单元的第二存储器单元子集，在施加所述特定多步阶编程脉冲的所述第一步阶的同时禁止所述第二存储器单元子集进行编程；及

在施加所述特定多步阶编程脉冲的所述第二步阶的同时启用所述第二存储器单元子集来进行编程。

3.根据权利要求2所述的存储器，其中所述控制器经配置以在施加所述特定多步阶编程脉冲的所述第二步阶的同时启用所述第二存储器单元子集来进行编程包括：所述控制器经配置以在施加所述特定多步阶编程脉冲的所述第二步阶的同时部分地启用所述第二存储器单元子集中的特定存储器单元来进行编程，且所述控制器经配置以在施加所述特定多步阶编程脉冲的所述第二步阶的同时完全地启用所述第二存储器单元子集中的不同存储器单元来进行编程。

4.根据权利要求2所述的存储器，其中所述控制器进一步经配置以：

针对经选择以用于编程的所述多个存储器单元的第三存储器单元子集，在施加所述下一后续多步阶编程脉冲的所述第一步阶的同时启用所述第三存储器单元子集来进行编程；

针对经选择以用于编程的所述多个存储器单元的第四存储器单元子集，在施加所述下一后续多步阶编程脉冲的所述第一步阶的同时禁止所述第四存储器单元子集进行编程；及

在施加所述下一后续多步阶编程脉冲的所述第二步阶的同时启用所述第四存储器单元子集来进行编程。

5.根据权利要求2所述的存储器，其中所述控制器进一步经配置以：

在施加所述特定多步阶编程脉冲的所述第一步阶之前启用所述第一存储器单元子集来进行编程；及

在施加所述特定多步阶编程脉冲的所述第二步阶之前启用所述第二存储器单元子集来进行编程。

6.根据权利要求5所述的存储器，其中所述控制器进一步经配置以：

在施加所述特定多步阶编程脉冲的所述第二步阶的同时启用所述第一存储器单元子集来进行编程。

7.根据权利要求1所述的存储器，其中所述第三电压电平与所述第四电压电平之间的电压差大体上等于所述第一电压电平与所述第二电压电平之间的电压差。

8.根据权利要求1所述的存储器，其中所述第三电压电平与所述第一电压电平之间的电压差大体上等于所述第一电压电平与所述第二电压电平之间的电压差的两倍。

9.根据权利要求1所述的存储器，其中所述多个存储器单元中的存储器单元各自具有相应既定数据状态，且其中所述第二存储器单元子集中的存储器单元含有被视为与所述第一存储器单元子集中的存储器单元相比更接近其相应既定数据状态的存储器单元。

10.根据权利要求9所述的存储器，其中所述第四存储器单元子集中的存储器单元含有被视为与所述第三存储器单元子集中的存储器单元相比更接近其相应既定数据状态的存储器单元。